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资料编号:1014581
 
资料名称:M68AF127BM70MC6
 
文件大小: 373K
   
说明
 
介绍:
1Mbit 128K x8, 5V Asynchronous SRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
M68AF127B
16/23
图示 14. e1控制, 低 v
CC
数据 保持 交流 波形
图示 15. e2 控制, 低 v
CC
数据 保持 交流 波形
表格 9. 低 v
CC
数据 保持 特性
便条: 1. 所有 其它 输入 在 v
IH
V
CC
–0.2v 或者 v
IL
0.2v.
2. 测试 initially 和 之后 任何 设计 或者 处理 那 将 影响 这些 参数.
t
AVAV
是 读 循环 时间.
3. 非 输入 将 超过 v
CC
+0.2v.
AI07204
数据 保持 模式
tR
5.5v
tCDR
V
CC
4.5v
V
DR
> 2.0v
E1
E1
V
DR
– 0.2v
AI07205B
数据 保持 模式
tR
5.5v
tCDR
V
CC
4.5v
V
DR
> 2.0v
E2
E2
0.2v
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
I
CCDR
(1)
供应 电流 (数据 保持)
V
CC
= 2.0v, e1
V
CC
–0.2v 或者
E2
0.2v, f = 0
4.5 µA
t
CDR
(1,2)
碎片 deselected 至 数据 保持 时间 0 ns
t
R
(2)
运作 恢复 时间
t
AVAV
ns
V
DR
(1)
供应 电压 (数据 保持)
E1
V
CC
–0.2v 或者 e2
0.2v, f = 0
2.0 V
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