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资料编号:1014669
 
资料名称:M68AW256MN70ND1T
 
文件大小: 161K
   
说明
 
介绍:
4 Mbit (256K x16) 3.0V Asynchronous SRAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
M68AW256M
12/20
写 模式
这 m68aw256m 是 在 这 写 模式 whenever
这 w
和 e是 低. 也 这 碎片 使能 输入
(e
) 或者 这 写 使能 输入 (w) 必须 是 de-
asserted 在 地址 transitions 为
subsequent 写 循环. 当 e
(w) 是 低, 和
UB
或者 lb 是 低, 写 循环 begins 在 这 w
下落 边缘. 当 e
和 w是 低, 和 ub= lb
= 高, 写 循环 begins 在 这 第一 下落 边缘
的 ub
或者 lb. 因此, 地址 建制 时间 是
关联 至 写 使能, 碎片 使能 或者 ub
/lb
作 t
AVWL
, t
AVEL
和 t
AVBL
各自, 和 是
决定 用 这 latter occurring 边缘.
这 写 循环 能 是 terminated 用 这 早期
rising 边缘 的 e
, w或者 ub/lb.
如果 这 输出 是 使能 (e
= 低, g= 低, lb 或者
UB
= 低), 然后 w将 返回 这 输出 至 高
阻抗 在里面 t
WLQZ
的 它的 下落 边缘. 小心
必须 是 带去 至 避免 总线 contention 在 这个 类型
的 运作. 数据 输入 必须 是 有效的 为 t
DVWH
在之前 这 rising 边缘 的 写 使能, 或者 为 t
DVEH
在之前 这 rising 边缘 的 e, 或者 为 t
DVBH
在之前 这
rising 边缘 的 ub
/lbwhichever occurs 第一, 和
仍然是 有效的 为 t
WHDX
, t
EHDX
和 t
BHDX
respec-
tively.
图示 11. 写 使能 控制, 写 交流 波形
AI03958
tAVAV
tWHAX
tDVWH
数据 输入
a0-a17
E
W
dq0-dq15
有效的
tAVWH
tWLWH
tAVWL
tWLQZ
tWHDX
tWHQX
tBLWH
ub, lb
tELWH
数据
(1)
数据
(1)
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