MAX4838–MAX4841
超（电）压 保护 控制者 和
状态 标记
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产品 信息
场效应晶体管 配置
这 max4838
–
max4841 能 是 使用 和 也 一个 sin-
gle 场效应晶体管 配置 作 显示 在 这
典型
运行 电路
, 或者 能 是 配置 和 一个 后面的-至-
后面的 场效应晶体管 作 显示 在图示 7.
这 max4838
–
max4841 能 驱动 也 一个 单独的
场效应晶体管 或者 后面的-至-后面的 mosfets. 这 后面的-至-后面的
配置 有 almost 零 反转 电流 当 这
输入 供应 是 在下 这 输出.
如果 反转 电流 泄漏 是 不 一个 concern, 一个 单独的
场效应晶体管 能 是 使用. 这个 approach 有 half 这 丧失
的 这 后面的-至-后面的 配置 当 使用 和 simi-
lar 场效应晶体管 类型, 和 是 一个 更小的 费用 解决方案. 便条
那 如果 这 输入 是 的确 牵引的 低, 这 输出 是
牵引的 低 作 好 预定的 至 这 parasitic 身体 二极管 在 这
场效应晶体管. 如果 这个 是 一个 concern, 然后 这 后面的-至-后面的
配置 应当 是 使用.
场效应晶体管 选择
这 max4838
–
max4841 是 设计 为 使用 和
也 一个 单独的 n-频道 场效应晶体管 或者 双 后面的-至-
后面的 n-频道 mosfets. 在 大多数 situations,
mosfets 和 r
ds(在)
指定 为 一个 v
GS
的 4.5v
工作 好. 如果 这 输入 供应 是 near 这 uvlo maxi-
mum 的 3.5v 考虑 使用 一个 场效应晶体管 指定 为 一个
更小的 v
GS
电压. 也 这 v
DS
应当 是 30v 为 这
场效应晶体管 至 承受 这 全部 28v 在 范围 的 这
MAX4838
–
max4841.表格 1 显示 一个 选择 的
mosfets 适合的 为 使用 和 这 max4838
–
max4841.
在 绕过 仔细考虑
为 大多数 产品, 绕过 在 至 地 和 一个 1µf
陶瓷的 电容. 如果 这 电源 源 有 重大的
电感 预定的 至 长 含铅的 长度, 引领 小心 至 前-
vent overshoots 预定的 至 这 lc tank 电路 和 提供
保护 如果 需要 至 阻止 exceeding 这 30v
绝对 最大 比率 在 在.
这 max4838
–
max4841 提供 保护 相反 volt-
age faults 向上 至 28v, 但是 这个 做 不 包含 负的
电压. 如果 负的 电压 是 一个 concern, 连接 一个
肖特基 二极管 从 在 至 地 至 clamp 负的
输入 电压.
静电释放 测试 情况
静电释放 效能 取决于 在 一个 号码 的 情况.
这 max4838
–
max4841 是 指定 为 15kv 典型
静电释放 阻抗 在 在 当 在 是 绕过 至 地面
和 一个 1µf 陶瓷的 电容. 联系 maxim 为 一个 reli-
能力 report 那 documents 测试 建制, methodology,
和 结果.
计时器 开始
COUNTING
t = 50ms
t = 50ms
V
在
< uvlo
V
在
> uvlo
V
在
< ovlo
V
在
> ovlo
备用物品
门 = 0
标记 = 低
ovlo 审查
门 = 0
标记 = 低
STARTUP
门 驱动 高
标记 = 低
在
门 高
标记 = 高
图示 6. 状态 图解
MAX4838
–
MAX4841
输入
0 至 28v
在
EN
门
标记
地
1
6
4
2
3
输出
NMOS
V
IO
1
µ
F
便条: en 和 pullup
电阻 在 max4838/
max4840 仅有的.
图示 7. 后面的-至-后面的 外部 场效应晶体管 配置
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