应用 信息
(持续)
又一次, 使用 一个 低 等效串联电阻 电容 将 结果 在 更小的 波纹.
积极的 电压 DOUBLER
这 MAX660 能 运作 作 一个 积极的 电压 doubler (作
显示 在 这 典型 应用 电路). 这 doubling func-
tion 是 达到 用 reversing 一些 的 这 连接 至 这
设备. 这 输入 电压 是 应用 至 这 地 管脚 和 一个
容许的 电压 从 2.5v 至 5.5v. 这 V+ 管脚 是 使用 作
这 输出. 这 LV 管脚 和 输出 管脚 必须 是 连接 至
地面. 这 OSC 管脚 能 不 是 驱动 用 一个 外部 时钟
在 这个 运作 模式. 这 unloaded 输出 电压 是 两次
的 这 输入 电压 和 是 不 减少 用 这 二极管 D
1
’s 为-
ward 漏出.
这 肖特基 二极管 D
1
是 仅有的 需要 为 开始-向上. 这 inter-
nal 振荡器 电路 使用 这 V+ 管脚 和 这 LV 管脚 (con-
nected 至 地面 在 这 电压 doubler 电路) 作 它的 电源
围栏. 电压 横过 V+ 和 LV 必须 是 大 比 1.5v 至
insure 这 运作 的 这 振荡器. 在 开始-向上, D
1
是
使用 至 承担 向上 这 电压 在 V+ 管脚 至 开始 这 振荡器;
也, 它 保护 这 设备 从 turning-在 它的 自己的 parasitic
二极管 和 可能地 闭锁-向上. 因此, 这 肖特基 di-
ode D
1
应当 有 足够的 电流 carrying 能力 至
承担 这 输出 电容 在 开始-向上, 作 好 作 一个 低 为-
ward 电压 至 阻止 这 内部的 parasitic 二极管 从
turning-在. 一个 肖特基 二极管 像 1N5817 能 是 使用 为
大多数 产品. 如果 这 输入 电压 ramp 是 较少 比
10v/ms, 一个 小 肖特基 二极管 像 MBR0520LT1 能 是
使用 至 减少 这 电路 大小.
分割 V+ 在 HALF
另一 interesting 应用 显示 在 这 基本 applica-
tion 电路 是 使用 这 MAX660 作 一个 精确 电压 di-
vider. 自从 这 止-电压 横过 各自 转变 相等 V
在
/2,
这 输入 电压 能 是 raised 至 +11v.
CHANGING 振荡器 频率
这 内部的 振荡器 频率 能 是 选择 使用 这
频率 控制 (fc) 管脚. 当 FC 是 打开, 这 振荡器
频率 是 10 khz; 当 FC 是 连接 至 v+, 这 fre-
quency 增加 至 80 khz. 一个 高等级的 振荡器 频率 al-
lows 小 电容 至 是 使用 为 相等的 输出 re-
sistance 和 波纹, 但是 增加 这 典型 供应 电流
从 0.12 毫安 至 1 毫安.
这 振荡器 频率 能 是 lowered 用 adding 一个 exter-
nal 电容 在 OSC 和 地. (看 典型 perfor-
mance 特性.) 也, 在 这 反相器 模式, 一个 exter-
nal 时钟 那 swings 在里面 100 mV 的 V+ 和 地 能 是
使用 至 驱动 osc. 任何 CMOS 逻辑 门 是 合适的 为 driv-
ing osc. LV 必须 是 grounded 当 驱动 osc. 这
最大 外部 时钟 频率 是 限制 至 150 khz.
这 切换 频率 的 这 转换器 (也 called 这
承担 打气 频率) 是 half 的 这 振荡器 频率.
便条:
OSC 不能 是 驱动 用 一个 外部 时钟 在 这
电压-doubling 模式.
表格 1. MAX660 振荡器 频率 选择
FC OSC 振荡器
打开 打开 10 kHz
V+ 打开 80 kHz
打开
或者 V+
外部
电容
看 典型
效能
特性
n/一个 外部 时钟
(反相器 模式 仅有的)
外部 时钟
频率
电容 选择
作 discussed 在 这
简单的 负的 电压 转换器
秒-
tion, 这 输出 阻抗 和 波纹 电压 是 依赖
在 这 电容 和 等效串联电阻 值 的 这 外部 capaci-
tors. 这 输出 电压 漏出 是 这 加载 电流 时间 这
输出 阻抗, 和 这 电源 效率 是
在哪里 I
Q
(v+) 是 这 安静的 电源 丧失 的 这 IC 设备,
和 I
L
2
R
输出
是 这 转换 丧失 有关联的 和 这
转变 在-阻抗, 这 二 外部 电容 和 它们的
esrs.
自从 这 切换 电流 charging 和 discharging C
1
是
大概 两次 作 这 输出 电流, 这 效应 的 这
等效串联电阻 的 这 pumping 电容 C
1
是 multiplied 用 四 在 这
输出 阻抗. 这 输出 电容 C
2
是 charging 和
discharging 在 一个 电流 大概 equal 至 这 输出
电流, 因此, 它的 等效串联电阻 仅有的 counts once 在 这 输出 re-
sistance. 不管怎样, 这 等效串联电阻 的 C
2
直接地 affects 这 输出
电压 波纹. 因此, 低 等效串联电阻 电容 (
表格 2
) 是
推荐 为 两个都 电容 至 maximize 效率, re-
duce 这 输出 电压 漏出 和 电压 波纹. 为 conve-
nience, C
1
和 C
2
是 通常地 选择 至 是 这 一样.
这 输出 阻抗 varies 和 这 振荡器 频率
和 这 电容. 在
图示 4
, 这 输出 阻抗 vs. os-
cillator 频率 曲线 是 描绘 为 三 不同的 tanta-
lum 电容. 在 非常 低 频率 范围, 电容
plays 这 大多数 重要的 role 在 determining 这 输出 resis-
tance. Once 这 频率 是 增加 至 一些 要点 (此类
作 20 kHz 为 这 150 µF 电容), 这 输出 阻抗 是
dominated 用 这 在 阻抗 的 这 内部的 switches 和
这 ESRs 的 这 外部 电容. 一个 低 值, 小
大小 电容 通常地 有 一个 高等级的 等效串联电阻 对照的 和 一个
bigger 大小 电容 的 这 一样 类型. 为 更小的 等效串联电阻, 使用
陶瓷的 电容.
ds100898-3
图示 3. Splitting V
在
在 Half
MAX660
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