startup 在 加载
这 max8533 是 将 至 是 使用 在 一个 电路 在哪里
非 加载 是 应用 直到 这 pok 信号 是 使能. 在 一个
应用 在哪里 这 加载 是 应用 在 这 输出-
电压 ramp 向上, 这 r
ds(在)
的 这 场效应晶体管 是 高等级的
和 这 电源 dissipated 用 这 场效应晶体管 是 大.
重复的, 迅速 hot-swaps 在 一个 加载 能 create suffi-
cient 热温 至 超过 这 电源-消耗 限制 的 这
包装 造成 失败 的 这 场效应晶体管.
产品 信息
设置 这 转变-在 ramp 比率
这 场效应晶体管 转变-在 ramp 比率 是 决定 用 这
电容 (c2) 在 门 (图示 2). 一个 内部的 10µa
电流 源 charges c2 至 bring 门 高. 这
软-开始 比率 是 决定 作 跟随:
t
SS
= c2 x (v
在
+ 5)/(10 x 10
-6
)
t
SS
将 是 变长 比 预期的 在 这 应用
取决于 在 这 门 电容 的 这 外部
场效应晶体管. 这 需要 门 电压 是 提供 用
一个 在-板 承担 打气 那 boosts 这 电压 在
门 至 (v
在
+ 5v).
外部 电源 场效应晶体管 选择
选择 这 n-频道 场效应晶体管 符合 至 这 appli-
cation
’
s 电流 (所需的)东西. 表格 2 lists 一些 rec-
ommended 组件. 这 场效应晶体管
’
s 在-阻抗
(r
ds(在)
) 应当 是 选择 低 足够的 至 有 一个 最小值-
imal 电压 漏出 在 全部 加载 至 限制 这 场效应晶体管 电源
消耗. 高 r
ds(在)
能 导致 高 输出 波纹
如果 这 板 有 pulsing 负载, 或者 触发 一个 外部
MAX8533
smallest, 大多数 可依靠的, 12v, infiniband-
一致的 hot-swap 控制
_______________________________________________________________________________________ 7
MAX8533
在
V
在
BACKPLANE
10v 至 14v
R1
10m
Ω
R3
3.09k
Ω
R2
20
Ω
R5
31.6k
Ω
R4
4.99k
Ω
R6
100k
Ω
C1
470
µ
F
C2
0.1
µ
F
C3
0.01
µ
F
100
µ
F10
µ
F
N1
INFINIBAND
单元
ISET 门 输出
V
vb_输出
V
在
OVP
POKRET
vb_ret
CTIM
LPEN
LPEN
EN
VBxEN
POK
C4
0.22
µ
F
图示 2. 典型 50w 产品 电路
N
MAX8533
I
REG
电流-规章制度
控制 逻辑
承担
打气
OVERCURRENT
比较器
OVP
比较器
POK
比较器
SEVERE
OVERCURRENT
比较器
UVLO
比较器
电流-
规章制度
计时器
在
在
RET
EN
LPEN
POK
输出
CTIM
在
20
µ
一个
20
µ
一个
在
7.5k
Ω
I0
µ
一个
20
µ
一个
5V
CLAMP
5V
CLAMP
偏差
2V
2V
2V
涉及
(ref)
5v 直线的
调整器
在
门
I
设置
OVP
图示 1. max8533 函数的 图解
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