MCM69D536
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motorola 快 sram
包装 热的 特性
(看 便条 1)
比率
标识 TQFP 单位 注释
接合面 至 包围的 (@ 200 lfm) single–layer 板
four–layer 板
R
θ
JA
40
35
°
c/w 2
接合面 至 板 (bottom) R
θ
JB
23
°
c/w 3
接合面 至 情况 (顶) R
θ
JC
9
°
c/w 4
注释:
1. 接合面 温度 是 一个 函数 的 on–chip 电源 消耗, 包装 热的 阻抗, 挂载 站点 (板) 温度, 包围的
温度, 空气 流动, 板 population, 和 板 热的 阻抗.
2. 每 semi g38–87.
3. indicates 这 平均 热的 阻抗 在 这 消逝 和 这 打印 电路 板.
4. indicates 这 平均 热的 阻抗 在 这 消逝 和 这 情况 顶 表面 通过 这 cold 加设护板 方法 (mil spec–883 方法 1012.1).
直流 运行 情况 和 特性
(v
DD
= 3.3 v
±
5%, t
一个
= 0 至 + 70
°
c, 除非 否则 指出)
推荐 运行 情况 和 供应 电流
参数 标识 最小值 最大值 单位
供应 电压 (运行 电压 范围) V
DD
3.135 3.465 V
输入 高 电压 V
IH
2.0 V
DD
+ 0.5** V
输入 低 电压 V
IL
– 0.5* 0.8 V
输入 泄漏 电流 (所有 输入, v
在
= 0 至 v
DD
) I
lkg(i)
—
±
1.0
µ
一个
输出 泄漏 电流 (e= v
IH
, v
输出
= 0 至 v
DD
) I
lkg(o)
—
±
1.0
µ
一个
交流 供应 电流 (i
输出
= 0 毫安) (v
DD
= 最大值, f = f
最大值
) mcm69d536–6 ns
mcm69d536–8 ns
I
DDA
—
—
300
300
毫安
cmos 备用物品 供应 电流 (deselected, 时钟 (k) mcm69d536–6 ns
循环 时间
≥
t
KHKH
, 所有 输入 toggling 在 cmos 水平 mcm69d536–8 ns
V
在
≤
V
SS
+ 0.2 v 或者
≥
V
DD
– 0.2 v)
I
SB1
—
—
100
100
毫安
输出 低 电压 (i
OL
= + 8.0 毫安) V
OL
— 0.4 V
输出 高 电压 (i
OH
= – 4.0 毫安) V
OH
2.4 V
DD
V
*V
IL
≥
– 1.5 v 为 t
≤
t
KHKH
/2.
** V
IH
≤
V
DD
+ 1.0 v 为 t
≤
t
KHKH
/2.
电容
(f = 1.0 mhz, dv = 3.0 v, t
一个
= 0 至 70
°
c, periodically 抽样 相当 比 100% 测试)
参数 标识 最大值 单位
地址 和 数据 输入 电容 C
在
6 pF
控制 管脚 输入 电容 C
在
6 pF
输出 电容 C
输出
8 pF
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