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资料编号:1024857
 
资料名称:MRF314
 
文件大小: 113K
   
说明
 
介绍:
RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON
 
 


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MRF314
2
motorola rf 设备 数据
电的 特性 — 持续
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出.)
典型的 UnitMaxTypMinSymbol
动态 特性
输出 电容
(v
CB
= 30 vdc, i
E
= 0, f = 1.0 mhz)
C
ob
30 40 pF
函数的 tests
(图示 1)
common–emitter 放大器 电源 增益
(v
CC
= 28 vdc, p
输出
= 30 w, f = 150 mhz)
G
PE
10 13.5 dB
集电级 效率
(v
CC
= 28 vdc, p
输出
= 30 w, f = 150 mhz)
η
50 %
加载 mismatch
(v
CC
= 28 vdc, p
输出
= 30 w, f = 150 mhz,
vswr = 30:1 所有 阶段 angles)
ψ
非 降级 在 电源 输出
图示 1. 150 mhz 测试 电路
R2
R1
RFC3
L1
C10
C9C8
RFC2
C2 C3 RFC1 C4 C5
C6
rf outputz2
C1
Z1
直流 + 28 vdc
C7
DUT
rf 输入
c1, c7 — 18 pf, 100 mil atc
c2 — 68 pf, 100 mil atc
c3, c6 — johanson #jmc 5501
c4 — 270 pf, 100 mil atc
c5 — 240 pf, 100 mil atc
c8, c9 — 100 pf underwood
c10 — 1.0
µ
f tantalum
l1 — 2 转变, 2.5
#20 线, id = 0.275
r1, r2 — 10
, 1.0 w
rfc1 — 15
µ
h 模塑的 coil
rfc2 — 2 转变, 2.5
#20 线, id = 0.2
rfc3 — ferroxcube vk200–19/4b
z1 — microstrip, 0.168
w x 1.6
L
z2 — microstrip, 0.168
w x 1.2
L
板 — glass teflon
ε
r
=
2.55
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