MRF177
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motorola rf 设备 数据
电的 特性
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的 (1) 标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
drain–source 损坏 电压
(v
GS
= 0, i
D
= 50 毫安)
V
(br)dss
65 — — Vdc
零 门 电压 流 电流
(v
DS
= 28 v, v
GS
= 0)
I
DSS
— — 2.0 mAdc
gate–source 泄漏 电流
(v
GS
= 20 v, v
DS
= 0)
I
GSS
— — 1.0
µ
模数转换器
在 特性
(1)
门 门槛 电压
(v
DS
= 10 v, i
D
= 50 毫安)
V
gs(th)
1.0 3.0 6.0 Vdc
drain–source on–voltage
(v
GS
= 10 v, i
D
= 3.0 一个)
V
ds(在)
— — 1.4 Vdc
向前 跨导
(v
DS
= 10 v, i
D
= 2.0 一个)
g
fs
1.8 2.2 — mhos
动态 特性
(1)
输入 电容
(v
DS
= 28 v, v
GS
= 0, f = 1.0 mhz)
C
iss
— 100 — pF
输出 电容
(v
DS
= 28 v, v
GS
= 0, f = 1.0 mhz)
C
oss
— 105 — pF
反转 转移 电容
(v
DS
= 28 v, v
GS
= 0, f = 1.0 mhz)
C
rss
— 10 — pF
函数的 特性
(图示 8) (2)
一般 源 电源 增益
(v
DD
= 28 vdc, p
输出
= 100 w, f = 400 mhz, i
DQ
= 200 毫安)
G
PS
10 12 — dB
流 效率
(v
DD
= 28 vdc, p
输出
= 100 w, f = 400 mhz, i
DQ
= 200 毫安)
η
55 60 — %
电的 强壮
(v
DD
= 28 vdc, p
输出
= 100 w, f = 400 mhz, i
DQ
= 200 毫安,
加载 vswr = 30:1, 所有 阶段 angles 在 频率 的 测试)
ψ
非 降级
在 输出 电源
在之前 &放大; 之后 测试
(1) 便条 各自 晶体管 碎片 量过的 separately
(2) 两个都 晶体管 碎片 运行 在 push–pull 放大器
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