进步 信息
MT89L85
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* exceeding 这些 值 将 导致 永久的 损坏. 函数的 运作 下面 这些 情况 是 不 暗指.
‡ 典型 figures 是 在 25
°
c 和 是 为 设计 aid 仅有的: 不 有保证的 和 不 主题 至 生产 测试.
‡ 典型 figures 是 在 25
°
c 和 是 为 设计 aid 仅有的: 不 有保证的 和 不 主题 至 生产 测试.
*
绝对 最大 ratings*
参数 标识 最小值 最大值 单位
1V
DD
- v
SS
-0.3 5.0 V
2 电压 在 数字的 输入 V
I
V
SS
-0.3 V
DD
+0.3 V
3 电流 在 数字的 输出 I
O
20 毫安
4 存储 温度 T
S
-55 +125
°
C
5 包装 电源 消耗 P
D
1W
推荐 运行 情况
- 电压 是 和 遵守 至 地面 (v
SS
) 除非 否则 陈述.
特性 Sym 最小值 典型值
‡
最大值 单位 测试 情况
1 运行 温度 T
运算
-40 25 +85
°
C
2 积极的 供应 V
DD
3.0 3.3 3.6 V
3 输入 高 电压 V
IH
0.7v
DD
V
DD
V
4 输入 高 电压 在 5v
tolerant 输入
V
IH
5.5 V
5 输入 低 电压 V
IL
V
SS
0.3v
DD
V
直流 电的 特性
- 电压 是 和 遵守 至 地面 (v
SS
) 除非 否则 陈述.
特性 Sym 最小值 典型值
‡
最大值 单位 测试 情况
1
I
N
P
U
T
S
供应 电流 I
DD
4 7 毫安 输出 unloaded
2 输入 高 电压 V
IH
0.7v
DD
V
3 输入 低 电压 V
IL
0.3v
DD
V
4 输入 泄漏 I
IL
5
µ
AV
I
在 v
SS
和 v
DD
5 输入 管脚 电容 C
I
10 pF
6
O
U
T
P
U
T
S
输出 高 电压 V
OH
0.8v
DD
VI
OH
= 10 毫安
7 输出 高 电流 I
OH
10 毫安 sourcing. v
OH
=0.8v
DD
8 输出 低 电压 V
OL
0.4 V I
OL
= 5 毫安
9 输出 低 电流 I
OL
5 毫安 sinking. v
OL
= 0.4v
10 高 阻抗 泄漏 I
OZ
5
µ
AV
O
在 v
SS
和 v
DD
11 输出 管脚 电容 C
O
10 pF
交流 电的 特性
_
定时 参数 度量 电压 水平
特性 Sym 水平的 单位 测试 情况
1 cmos 门槛 电压 V
TT
0.5v
DD
V
2 cmos 上升/下降 门槛 电压 高 V
HM
0.7v
DD
V
3 cmos 上升/下降 门槛 电压 低 V
LM
0.3v
DD
V
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