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资料编号:1033194
 
资料名称:MT8LSDT3264AI
 
文件大小: 614K
   
说明
 
介绍:
SYNCHRONOUS DRAM MODULE
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
256mb / 512mb (x64)
168-管脚 sdram dimms
32,64 meg x 64 sdram dimms micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
sd8_16c32_64x64ag_c.fm - rev. c 11/02
11
©2002, micron 技术 公司
Commands
这 真实 表格 提供 一个 快 涉及 的 avail-
能 commands. 这个 是 followed 用 写 descrip-
tion 的 各自 command. 为 一个 更多 详细地 descrip-
tion 的 commands 和 行动, 谈及 至 这 256mb
sdram 组件 数据 薄板.
便条:
1. a0–a12 提供 行 地址; ba0–ba1 determine 这个 设备 bank 是 制造 起作用的.
2. a0–a9 提供 column 地址; a10 高 使能 这 au至-precharge 特性 (nonpersistent), 当 a10 低 dis-
ables 这 自动-precharge 特性; ba0-ba1 决定 这个 设备 bank 是 正在 读 从 或者 写 至.
3. a10 低: ba0–ba1 决定 这个 设备 bank 是 being precharged. a10 高: 所有 设备 banks 是 precharged
和 ba0, ba1 是 “don’t 小心.”
4. 这个 command 是 自动 refresh 如果 cke是 高, 自 refresh 如果 cke 是 低.
5. 内部的 refresh 计数器 控制 行 寻址; 所有 输入 和 i/os 是 “don’t care” 除了 为 cke.
6. a0–a11 定义 这 运算-代号 写 至 这 模式 寄存器 和 a12 应当 是 驱动 低.
7. activates 或者 deactivates 这 dqs 在 写(零-时钟 延迟) 和 读 (二-时钟 延迟).
表格 9: 真实 表格 – sdram commands 和 dqmb 运作
cke 是 高 为 所有 commands 显示 除了 自refresh; 注释 呈现 下列的 这 真实 表格
名字 (函数) CS# RAS# CAS# WE# DQMB 地址 DQ 注释
command inhibit (nop)
HXXX X X X
非 运作 (nop)
LHHH X X X
起作用的 (选择 bank 和 活动 行)
L L H H X bank/行 X 1
读 (选择 bank 和 column, 和 开始 读 burst)
L H L H l/h bank/col X 2
写 (选择 bank 和 column, 和 开始 写
burst)
L H L L l/h bank/col 有效的 2
burst terminate
LHHL X X 起作用的
precharge (deactivate 行 在 bank 或者 banks)
L L H L X 代号 X 3
自动 refresh 或者 自 refresh
(enter 自 refresh 模式)
LLLHX X X 4, 5
加载 模式 寄存器
L L L L X 运算-代号 X 6
写 使能/输出 使能
–––– L Active7
写 inhibit/输出 高-z
–––– H –high-z7
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