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资料编号:1033194
 
资料名称:MT8LSDT3264AI
 
文件大小: 614K
   
说明
 
介绍:
SYNCHRONOUS DRAM MODULE
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
256mb / 512mb (x64)
168-管脚 sdram dimms
32,64 meg x 64 sdram dimms micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
sd8_16c32_64x64ag_c.fm - rev. c 11/02
12
©2002, micron 技术 公司
绝对 最大 比率
压力 更好 比 那些 列表 将 导致 perma-
nent 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 比率 仅有的,
和 函数的 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何
其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 opera-
tional sections 的 这个 规格 是 不 暗指.
暴露 至 绝对 最大 比率 情况 为
扩展 时期 将 影响 可靠性.
Volt一个geonV
DD
, v
DDQ
供应
相关的 至 v
SS
电压 在 输入 nc 或者 i/o 管脚
相关的 至 v
SS
运行 温度
T
一个
T
一个
(工业的). . . . . . . . . . . . . . . . . .. -40°c 至 +85°c
电源 消耗, 256mb . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .8W
电源 消耗, 512mb . . . . . . . . . . . . . . . . . . .16W
表格 10: 直流 电的 特性 和 运行 情况 – 256mb 单元
注释: 1, 5, 6; 注释 呈现 在 页 17; v
DD
, v
DDQ
= +3.3v ±0.3v
参数/情况 标识 最小值 最大值 单位 注释
供应 电压
V
DD
, v
DDQ
33.6v
输入 高 电压: 逻辑 1; 所有 输入
V
IH
2V
DD
+ 0.3 V 22
输入 低 电压: 逻辑 0; 所有 输入
V
IL
-0.3 0.8 V 22
输入 泄漏 电流:
任何 输入 0v
VIN
V
DD
(所有 其它 管脚 不 下面 测试 = 0v)
command 和 地址
输入, cke
I
I
-40 40 µA 33
ck, s#
-20 20 µA
dq, dqmb
-5 5 µA
输出 泄漏 电流: dq 管脚 是 无能;
0V
V
输出
V
DDQ
I
OZ
-5 5 µA 33
输出 水平:
输出 高 电压 (i
输出
= -4ma)
输出 低 电压 (i
输出
= 4ma)
V
OH
2.4 V
V
OL
–0.4v
表格 11: 直流 电的 特性 和 运行 情况 – 512mb 单元
注释: 1, 5, 6; 注释 呈现 在 页 17; v
DD
, v
DDQ
= +3.3v ±0.3v
参数/情况 标识 最小值 最大值 单位 注释
供应 电压
V
DD
, v
DDQ
33.6v
输入 高 电压: 逻辑 1; 所有 输入
V
IH
2V
DD
+ 0.3 V 22
输入 低 电压: 逻辑 0; 所有 输入
V
IL
-0.3 0.8 V 22
输入 泄漏 电流:
任何 输入 0v
VIN
V
DD
(所有 其它 管脚 不 下面 测试 = 0v)
command 和 地址
输入, cke
I
I
-80 80 µA 33
ck, s#
-20 20 µA
dq, dqmb
-10 10 µA
输出 泄漏 电流: dq 管脚 是 无能;
0V
V
输出
V
DDQ
I
OZ
-10 10 µA 33
输出 水平:
输出 高 电压 (i
输出
= -4ma)
输出 低 电压 (i
输出
= 4ma)
V
OH
2.4 V
V
OL
–0.4v
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