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资料编号:1033194
 
资料名称:MT8LSDT3264AI
 
文件大小: 614K
   
说明
 
介绍:
SYNCHRONOUS DRAM MODULE
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
256mb / 512mb (x64)
168-管脚 sdram dimms
32,64 meg x 64 sdram dimms micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
sd8_16c32_64x64ag_c.fm - rev. c 11/02
15
©2002, micron 技术 公司
表格 16: 电的 特性 和 推荐 交流 运行 情况
注释: 5, 6, 8, 9, 11; 注释 呈现 在 页 17
单元 交流 定时 参数 遵守 和 pc100 和pc133 设计 规格, 为基础 在 组件 参数
ACCHARACTERISTICS -13e -133 -10e
参数 标识 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 单位 注释
进入 timefrom clk (pos.边缘)
CL=3
t
交流(3)
5.4 5.4 6 ns 27
CL=2
t
交流(2)
5.4 6 6 ns
地址 支撑 时间
t
AH
0.8 0.8 1 ns
地址 建制 时间
t
1.5 1.5 2 ns
clk 高-水平的 宽度
t
CH
2.5 2.5 3 ns
clk 低-水平的 宽度
t
CL
2.5 2.5 3 ns
时钟 循环 时间
CL=3
t
ck(3)
77.58 ns23
cl = 2
t
ck(2)
7.5 10 10 ns 23
cke 支撑 时间
t
CKH
0.8 0.8 1 ns
cke 建制 时间
t
CKS
1.5 1.5 2 ns
cs#, ras#, cas#, we#, dqm 支撑 时间
t
CMH
0.8 0.8 1 ns
cs#, ras#, cas#, we#, dqm 建制 时间
t
CMS
1.5 1.5 2 ns
数据-在 支撑 时间
t
DH
0.8 0.8 1 ns
数据-在 建制 时间
t
DS
1.5 1.5 2 ns
数据-输出 高-阻抗 时间
cl = 3
t
hz(3)
5.4 5.4 6 ns 10
cl = 2
t
hz(2)
5.4 6 6 ns 10
数据-输出 低-阻抗 时间
t
LZ
11 1 ns
数据-输出 支撑 时间 (加载)
t
OH
33 3 ns
数据-输出 支撑 时间 (非 加载)
t
OH
N
1.8 1.8 1.8 ns 28
起作用的 至 precharge command
t
RAS
37 120,000 44 120,000 50 120,000 ns 29
起作用的 至 起作用的 command 时期
t
RC
60 66 70 ns
起作用的 至 读 或者 写 延迟
t
RCD
15 20 20 ns
refresh 时期 (8,192 rows)
t
REF
64 64 64 ms
autorefresh 时期
t
RFC
66 66 70 ns
precharge command 时期
t
RP
15 20 20 ns
起作用的 bank 一个 至 起作用的 bank b
command
t
RRD
14 15 20 ns
转变 时间
t
T
0.3 1.2 0.3 1.2 0.3 1.2 ns 7
写 恢复 时间
t
WR
1 clk
+
1 clk
+
1 clk
+
ns 24
7ns 7.5ns 7ns
14 15 15 ns 25
exit 自 refresh 至 起作用的 command
t
XSR
67 75 80 ns 20
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