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168-管脚 sdram dimms
32,64 meg x 64 sdram dimms micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
sd8_16c32_64x64ag_c.fm - rev. c 11/02
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©2002, micron 技术 公司
表格 18: 可擦可编程只读存储器 设备 选择 代号
这 大多数 重大的 位 (b7) 是 sent 第一
设备 类型 identifier 碎片 使能 RW
b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0
记忆 范围 选择 代号 (二 arrays)
1 0 1 0 SA2 SA1 SA0 RW
保护 寄存器 选择 代号
0 1 1 0 SA2 SA1 SA0 RW
表格 19: 可擦可编程只读存储器 运行 模式
模式 RW位 WC 字节 最初的 sequence
电流 地址 读
1
V
IH
或者 v
IL
1
开始, 设备 选择, rw
= 1
RandomAddressRead
0
V
IH
或者 v
IL
1
开始, 设备 选择, rw= 0, 地址
1
V
IH
或者 v
IL
重新开始, 设备 选择, rw= 1
sequential 读
1
V
IH
或者 v
IL
1
类似的 至 电流 或者 随机的 地址 读
字节 写
0V
IL
1
开始, 设备 选择, rw
= 0
页 写
0V
IL
16
开始, 设备 选择, rw
= 0
表格 20: 串行 存在-发现 可擦可编程只读存储器 直流 运行 情况
V
DD
= +3.3v ±0.3v; 所有 电压 关联 至 v
SS
参数/情况 标识 最小值 最大值 单位
供应 电压
V
DD
33.6 V
输入 高 电压: 逻辑 1; 所有 输入
V
IH
V
DD
x 0.7 V
DD
+ 0.5 V
输入 低 电压: 逻辑 0; 所有 输入
V
IL
-1 V
DD
x 0.3 V
输出 低 电压: i
输出
= 3ma
V
OL
–0.4 V
输入 泄漏 电流: v
在
= 地 至 v
DD
I
LI
–10 µA
输出 泄漏 电流: v
输出
= 地 至 v
DD
I
LO
–10 µA
备用物品 电流: scl = sda = v
DD
- 0.3v; 所有 其它
输入 = 地 或者 3.3v ±10%
I
CCS
–30 µA
电源 供应 电流:
scl 时钟 频率 = 100 khz
I
CC
写
I
CC
读
–
–
3
1
毫安
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