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rev. 0.7, oct. 04, 2001
p/n: pm0765
MX26C2000B
非易失存储器
TM
是 建造 在 一个 革新的 cell concept 在 这个
在 erasing 这 记忆 cell 是 impossible.
数据 写 保护
这 设计 的 这 设备 保护 相反 意外的
erasure 或者 程序编制. 这 内部的 状态 机器 是
automatically 重置 至 这 读 模式 在 电源-向上. 使用
控制 寄存器 architecture, 改变 的 记忆 能
仅有的 出现 之后 completion 的 恰当的 command
sequences. 这 command 寄存器 是 仅有的 起作用的 当 v
PP
是 在 高 电压. 当 v
PP
= v
PPL
, 这 设备 defaults
至 这 读 模式. 强健的 设计 特性 阻止
inadvertent 写 循环 结果 从 v
CC
电源-向上 和
电源-向下 transitions 或者 系统 噪音. 至 避免 initiation
的 写 循环 在 v
CC
电源-向上, 一个 写 循环 是 锁
输出 为 v
CC
较少 比 4v. 这 二- command 程序 和
擦掉 写 sequence 至 这 command 寄存器 提供
额外的 软件 保护 相反 spurious 数据
改变.
程序 核实 模式
verification 应当 是 执行 在 这 编写程序 位
至 决定 那 它们 是 correctly 编写程序.
verification 应当 是 执行 和 oe 和 ce, 在
vil, 我们 在 vih, 和 vpp 在 它的 程序编制 电压.
擦掉 核实 模式
verification 应当 是 执行 在 这 erased 碎片 至
决定 那 这 全部的 碎片(所有 位) 是 correctly
erased. verification 应当 是 执行 和 oe 和
ce 在 vil, 我们 在 vih, 和 vcc = 5v, vpp = 12.5v
自动 identify 模式
这 自动 identify 模式 准许 这 读 输出 的 一个 二进制的
代号 从 mtp 非易失存储器 那 将 identify 它的
生产者 和 设备 类型. 这个 模式 是 将
为 使用 用 程序编制 设备 为 这 目的 的
automatically 相一致 这 设备 至 是 编写程序
和 它的 相应的 程序编制 algorithm. 这个
模式 是 函数的 在 这 25
°
C
±
5
°
c 包围的 温度
范围 那 是 必需的 当 程序编制 这
mx26c2000b.
至 活动 这个 模式, 这 程序编制 设备 必须
强迫 12.0
±
0.5 v 在 地址 线条 a9 的 这 设备.
二 identifier 字节 将 然后 是 sequenced 从 这
设备 输出 用 toggling 地址 线条 a0 从 vil 至
vih. 所有 其它 地址 线条 必须 是 使保持 在 vil 在
自动 identify 模式.
字节 0 ( a0 = vil) 代表 这 生产者 代号,
和 字节 1 (a0 = vih), 这 设备 identifier 代号. 为
这 mx26c2000b, 这些 二 identifier 字节 是 给
在 这 模式 选择 表格. 所有 identifiers 为 生产者
和 设备 代号 将 possess odd parity, 和 这 msb
(dq7) 定义 作 这 parity 位.
读 模式
这 mx26c2000b 有 二 控制 功能, 两个都 的
这个 必须 是 logically satisfied 在 顺序 至 获得 数据
在 这 输出. 碎片 使能 (ce) 是 这 电源 控制
和 应当 是 使用 为 设备 选择. 输出 使能
(oe) 是 这 输出 控制 和 应当 是 使用 至 门
数据 至 这 输出 管脚, 独立 的 设备 选择.
假设 那 地址 是 稳固的, 地址 进入
时间 (tacc) 是 equal 至 这 延迟 从 ce 至 输出 (tce).
数据 是 有 在 这 输出 toe 之后 这 下落 边缘
的 oe, 假设 那 ce 有 被 低 和 地址
有 被 稳固的 为 在 least tacc - toe.
备用物品 模式
这 mx26c2000b 有 一个 cmos 备用物品 模式 这个
减少 这 最大 vcc 电流 至 100 ua. 它 是
放置 在 cmos 备用物品 当 ce 是 在 vcc
±
0.3 v.
这 mx26c2000b 也 有 一个 ttl-备用物品 模式 这个
减少 这 最大 vcc 电流 至 1.5 毫安. 它 是
放置 在 ttl-备用物品 当 ce 是 在 vih. 当 在
备用物品 模式, 这 输出 是 在 一个 高-阻抗
状态, 独立 的 这 oe 输入.
系统 仔细考虑
在 这 转变 在 起作用的 和 备用物品
情况, 瞬时 电流 顶峰 是 生产 在 这
rising 和 下落 edges 的 碎片 使能. 这 巨大
的 这些 瞬时 电流 顶峰 是 依赖 在 这
输出 电容 加载 的 这 设备. 在 一个 最小,
一个 0.1 uf 陶瓷的 电容 (高 频率, 低 固有的
电感) 应当 是 使用 在 各自 设备 在
vcc 和 地 至 降低 瞬时 影响. 在 增加,
至 克服 这 电压 漏出 造成 用 这 inductive
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