特性
• 3.3v
±
10% 写, 擦掉 和 读
• 忍耐力: 10,000 循环
• 快 随机的 进入 时间: 100ns/120ns
• 快 pagemode 进入 时间: 50ns
• 页 进入 depth: 16 字节/8 words
• sector 擦掉 architecture
- 32 equal sectors 的 64k 文字 各自
- sector 擦掉 时间: 200ms 典型
• 自动 擦掉 和 自动 程序 algorithms
- automatically erases 任何 一个 的 这 sectors 或者 这
全部的 碎片 和 擦掉 suspend 能力
- automatically programs 和 核实 数据 在 指定
地址
• 状态 寄存器 特性 为 发现 的 程序 或者
擦掉 循环 completion
• 低 vcc 写 inhibit 是 equal 至 或者 较少 比 1.8v
• 软件 数据 保护
• 页 程序 运作
- 内部的 地址 和 数据 latches 为 256 字节/128
words 每 页
- 页 程序编制 时间: 5ms 典型
• 低 电源 消耗
- 50ma 起作用的 电流
- 20ua 备用物品 电流
• 二 independently 保护 sectors
• 工业 标准 表面 挂载 包装
- 44 管脚 sop (500mil)
- 48 tsop(i)
一般 描述
这 mx29l3211 是 一个 32-mega 位 pagemode flash
记忆 有组织的 作 也 4m 文字 x 8 或者 2m 字节 x 16.
这 mx29l3211 包含 32 sectors 的 64k words.
mxic's flash memories 提供 这 大多数 费用-有效的
和 可依靠的 读/写 非-易变的 随机的 进入
记忆 和 快 页 模式 进入. 这 mx29l3211
是 packaged 44-管脚 sop 和 48-管脚 tsop. 它 是 设计
至 是 reprogrammed 和 erased 在-系统 或者 在-标准
非易失存储器 programmers.
这 标准 mx29l3211 提供 进入 时间 作 快 作
100ns,准许 运作 的 高-速 微处理器
没有 wait. 至 eliminate 总线 contention, 这 mx29l3211
有 独立的 碎片 使能 ce, 输出 使能 (oe), 和
写 使能 (我们) 控制.
mxic's flash memories augment 非易失存储器 符合实际
和 在-电路 电的 erasure 和 程序编制. 这
mx29l3211 使用 一个 command 寄存器 至 manage 这个
符合实际.
至 准许 为 简单的 在-系统 reprogrammability, 这
mx29l3211 做 不 需要 高 输入 电压 为
程序编制. 三-volt-仅有的 commands 决定
这 运作 的 这 设备. 读 数据 输出 的 这
设备 是 类似的 至 读 从 一个 非易失存储器.
mxic flash 技术 reliably stores 记忆 内容
甚至 之后 10,000 循环. 这 mxic's cell 是 设计
至 优化 这 擦掉 和 程序编制 mechanisms. 在
增加, 这 结合体 的 先进的 tunnel oxide
处理 和 低 内部的 electric 地方 为 擦掉 和
程序编制 行动 生产 可依靠的 cycling. 这
mx29l3211 使用 一个 3.3v
±
10% vcc 供应 至 执行
这 自动 擦掉 和 自动 程序 algorithms.
这 最高的 程度 的 获得-向上 保护 是 达到
和 mxic's 专卖的 非-epi 处理. 获得-向上
保护 是 proved 为 压力 向上 至 100 milliamps 在
地址 和 数据 管脚 从 -1v 至 vcc +1v.
1
p/n:pm0641
rev. 0.3, 十一月 06, 2001
MX29L3211
32m-位 [4m x 8/2m x 16] cmos
单独的 电压 pagemode flash 可擦可编程只读存储器
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