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资料编号:1034030
 
资料名称:NCP5208DR2
 
文件大小: 82K
   
说明
 
介绍:
DDR-I/II Termination Regulator
 
 


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NCP5208
http://onsemi.com
4
典型 运行特性
图示 3. vtt 输出 电压 vs. 加载 电流
(v
DDQ
= 1.8 v)
图示 4. vtt 输出 电压 vs. 加载 电流
(v
DDQ
= 2.5 v)
图示 5. 源 电流 加载 规章制度 vs.
包围的 温度
图示 6. 下沉 电流 加载 规章制度 vs.
包围的 温度
图示 7. 在 电流 保护 限制 vs.
包围的 温度
图示 8. 相似物 输入 电流 vs. 包围的
温度
ivtt, 输出 加载 电流 (一个)
0.60.20−0.2−0.4−0.6−0.8
0.950
vtt, 输出 电压 (v)
0.925
0.900
0.875
0.850
0.4
1.300
vtt, 输出 电压 (v)
1.275
1.250
1.225
1.200
T
一个
, 包围的 温度 (
°
c)
7050403020100
0
vtt, 源 电流 加载 规章制度 (mv)
−4
−10
−14
−20
60
PV
= v
DDQ
, = av
= 2.5 v
V
DDQ
= 1.8 v, ivtt = 0.6 一个
−2
−12
−6
−16
−8
−18
V
DDQ
= 2.5 v, ivtt = 1.5 一个
T
一个
, 包围的 温度 (
°
c)
7050403020100
20
vtt, 下沉 电流 加载 规章制度 (mv)
16
10
6
0
60
V
DDQ
= 1.8 v, ivtt = 0.6 一个
18
8
14
4
12
2
V
DDQ
= 2.5 v, ivtt = 1.5 一个
T
一个
, 包围的 温度 (
°
c)
7050403020100
2.5
I
LIM
, 在 电流 保护 限制 (一个)
2.0
1.5
0.5
0
T
一个
, 包围的 温度 (
°
c)
60
PV
= av
= v
DDQ
= 2.5 v
下沉 电流
源 电流
7050403020100
10
I
AVIN
, 相似物 输入 电流 (毫安)
8
4
2
0
60
PV
= av
= v
DDQ
= 2.5 v
ivtt = 0 一个
1.0
6
PV
= v
DDQ
, = av
= 2.5 v
0.8
AV
= 2.5 v
PV
= v
DDQ
= 1.8 v
T
一个
= 25
°
C
0.60.2−0.2−0.6−1.0−1.4−1.8 1.0 1.8
AV
= 2.5 v
PV
= v
DDQ
= 2.5 v
T
一个
= 25
°
C
1.4
ivtt, 输出 加载 电流 (一个)
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