飞利浦 半导体 产品 规格
80c31/80c51/87c51cmos 单独的-碎片 8-位 微控制器
1996 8月 16
3-24
非易失存储器 程序编制 和 verification 特性
T
amb
= 21
°
c 至 +27
°
c, v
CC
= 5v
±
10%, v
SS
= 0v (看 图示 16)
标识
参数 最小值 最大值 单位
V
PP
程序编制 供应 电压 12.5 13.0 V
I
PP
程序编制 供应 电流 50 毫安
1/t
CLCL
振荡器 频率 4 6 MHz
t
AVGL
地址 建制 至 prog 低 48t
CLCL
t
GHAX
地址 支撑 之后 prog 48t
CLCL
t
DVGL
数据 建制 至 prog低 48t
CLCL
t
GHDX
数据 支撑 之后 prog 48t
CLCL
t
EHSH
p2.7 (使能) 高 至 v
PP
48t
CLCL
t
SHGL
V
PP
建制 至 prog低 10
µ
s
t
GHSL
V
PP
支撑 之后 prog 10
µ
s
t
GLGH
PROG宽度 90 110
µ
s
t
AVQV
地址 至 数据 有效的 48t
CLCL
t
ELQZ
使能低 至 数据 有效的 48t
CLCL
t
EHQZ
数据 float 之后 使能 0 48t
CLCL
t
GHGL
PROG高 至 prog 低 10
µ
s
程序编制
*
VERIFICATION
*
地址 地址
数据 在 数据 输出
逻辑 1 逻辑 1
逻辑 0
t
AVQV
t
EHQZ
t
ELQV
t
SHGL
t
GHSL
t
GLGH
t
GHGL
t
AVGL
t
GHAX
t
DVGL
t
GHDX
p1.0–p1.7
p2.0–p2.4
端口 0
ale/prog
ea/v
PP
p2.7
使能
SU00020
t
EHSH
便条:
* 为 程序编制 verification 看 图示 13.
为 verification 情况 看 图示 15.
图示 16. 非易失存储器 程序编制 和 verification
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