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提醒: 这些 设备 是 敏感的 至 静电的 释放; follow 恰当的 ic 处理 程序.
http://www.intersil.com 或者 407-727-9207
|
版权
©
intersil 公司 1999
hs-81c55rh,
hs-81c56rh
辐射 硬化
256 x 8 cmos 内存
特性
• 设备 qml qualified 在 一致 和
mil-prf-38535
• 详细地 电的 和 放映 (所需的)东西 是
包含 在 smd# 5962-95818 和 intersil’ qm 计划
• 辐射 硬化 epi-cmos
- parametrics 有保证的 1 x 10
5
rad(si)
- 瞬时 upset > 1 x 10
8
rad(si)/s
- 获得-向上 自由 > 1 x 10
12
rad(si)/s
• 用电气 相等的 至 sandia sa 3001
• 管脚 兼容 和 intel 8155/56
• 总线 兼容 和 hs-80c85rh
• 单独的 5v 电源 供应
• 低 备用物品 电流 200
µ
一个 最大值
• 低 运行 电流 2ma/mhz
• 完全地 静态的 设计
• 内部的 地址 latches
• 二 可编程序的 8-位 i/o 端口
• 一个 可编程序的 6-位 i/o 端口
• 可编程序的 14-位 二进制的 计数器/计时器
• 多路复用 地址 和 数据 总线
• 自 排整齐 接合面 分开的 (saji) 处理
• 军队 温度 范围 -55
o
c 至 +125
o
C
描述
这 hs-81c55/56rh 是 辐射 硬化 内存 和 i/o
碎片 fabricated 使用 这 intersil 辐射 硬化 自-
排整齐 接合面 分开的 (saji) 硅 门 技术.
获得-向上 自由 运作 是 达到 用 这 使用 的 外延的
开始 材料 至 eliminate 这 parasitic scr 效应 seen 在
常规的 大(量) cmos 设备.
这 hs-81c55/56rh 是 将 为 使用 和 这
hs-80c85rh 辐射 硬化 微处理器 系统. 这
内存 portion 是 设计 作 2048 静态的 cells 有组织的 作 256
x 8. 一个 最大 邮递 irradiation 进入 时间 的 500ns 准许
这 hs-81c55/56rh 至 是 使用 和 这 hs-80c85rh cpu
没有 任何 wait states. 这 hs-81c55rh 需要 一个 起作用的
低 碎片 使能 当 这 hs-81c56rh 需要 一个 起作用的 高
碎片 使能. 这些 碎片 是 设计 为 运作 utilizing 一个
单独的 5v 电源 供应.
函数的 图解
256 x 8
静态的
内存
一个
B
C
计时器
io/
M
ad0 - ad7
ce 或者 ce
†
ALE
RD
WR
重置
计时器 clk
计时器 输出
8
pa0 - pa7
端口 一个
8
pb0 - pb7
端口 b
8
pc0 - pc5
端口 c
vdd (10v)
地
†
81c55rh =
CE
81c56rh = ce
订货 信息
部分 号码 温度 范围 放映 水平的 包装
5962R9XXXX01QRC -55
o
c 至 +125
o
C mil-prf-38535 水平的 q 40 含铅的 sbdip
5962R9XXXX01VRC -55
o
c 至 +125
o
C mil-prf-38535 水平的 v 40 含铅的 sbdip
5962R9XXXX01QXC -55
o
c 至 +125
o
C mil-prf-38535 水平的 q 42 含铅的 陶瓷的 flatpack
5962R9XXXX01VXC -55
o
c 至 +125
o
C mil-prf-38535 水平的 v 42 含铅的 陶瓷的 flatpack
5962R9XXXX02QRC -55
o
c 至 +125
o
C mil-prf-38535 水平的 q 40 含铅的 sbdip
5962R9XXXX02VRC -55
o
c 至 +125
o
C mil-prf-38535 水平的 v 40 含铅的 sbdip
5962R9XXXX02QXC -55
o
c 至 +125
o
C mil-prf-38535 水平的 q 42 含铅的 陶瓷的 flatpack
5962R9XXXX02VXC -55
o
c 至 +125
o
C mil-prf-38535 水平的 v 42 含铅的 陶瓷的 flatpack
hs1-81c55rh/样本 +25
o
C 样本 40 含铅的 sbdip
hs9-81c55rh/样本 +25
o
C 样本 42 含铅的 陶瓷的 flatpack
hs1-81c56rh/样本 +25
o
C 样本 40 含铅的 sbdip
hs9-81c56rh/样本 +25
o
C 样本 42 含铅的 陶瓷的 flatpack
规格 号码
518056
文件 号码
3039.1
march 1996
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