4-166
82C237
交流 电的 specifications
V
CC
= +5.0v
±
10%, 地 = 0v, T
一个
= 0
o
c 至 +70
o
c (c82c237),
T
一个
= -40
o
c 至 +85
o
c (i82c237),
T
一个
= -55
o
c 至 +125
o
c (m82c237)
标识 参数
82C237 82c237-12
UNITSMIN 最大值 最小值 最大值
dma (主控) 模式
(1)tael aen 高 从 clk 低 (s1) 延迟 时间 - 105 - 50 ns
(2)taet aen 低 从 clk 高 (si) 延迟 时间 - 80 - 50 ns
(3)tafab adr 起作用的 至 float 延迟 从 clk 高 - 55 - 55 ns
(4)tafc 读 或者 写 float 延迟 从 clk 高 - 75 - 50 ns
(5)tafdb db 起作用的 至 float 延迟 从 clk 高 - 135 - 90 ns
(6)tahr adr 从 读 高 支撑 时间 tcy-75 - tcy-65 - ns
(7)tahs db 从 adstb 低 支撑 时间 tcl-18 - tcl-18 - ns
(8)tahw adr 从 写 高 支撑 时间 tcy-65 - tcy-50 - ns
(9)tak dack 有效的 从 clk 低 延迟 时间 - 105 - 69 ns
eop 高 从 clk 高 延迟 时间 - 105 - 90 ns
eop 低 从 clk 高 延迟 时间 - 60 - 35 ns
(10)tasm adr 稳固的 从 clk 高 - 60 - 50 ns
(11)tass db 至 adstb 低 建制 时间 tch-20 - tch-20 - ns
(12)tch clk 高 时间 (transitions 10ns) 55 - 30 - ns
(13)tcl clk 低 时间 (transitions 10ns) 43 - 30 - ns
(14)tcy clk 循环 时间 125 - 80 - ns
(15)tdcl clk 高 至 读 或者 写 低 延迟 - 130 - 120 ns
(16)tdctr 读 高 从 clk 高 (s4) 延迟 时间 - 115 - 80 ns
(17)tdctw 写 高 从 clk 高 (s4) 延迟 时间 - 80 - 70 ns
(18)tdq hrq 有效的 从 clk 高 延迟 时间 - 75 - 30 ns
(19)teph eop 支撑 时间 从 clk 低 (s2) 90 - 50 - ns
(20)teps eop 低 至 clk 低 建制 时间 25 - 0 - ns
(21)tepw eop 脉冲波 宽度 135 - 50 - ns
(22)tfaab adr 有效的 延迟 从 clk 高 - 60 - 50 ns
(23)tfac 读 或者 写 起作用的 从 clk 高 - 90 - 50 ns
(24)tfadb db 有效的 延迟 从 clk 高 - 60 - 45 ns
(25)ths hlda 有效的 至 clk 高 建制 时间 45 - 10 - ns
(26)tidh 输入 数据 从 memr 高 支撑 时间 0 - 0 - ns
(27)tids 输入 数据 至 memr 高 建制 时间 90 - 45 - ns
(28)todh 输出 数据 从 memw 高 支撑 时间 15 - tcy-50 - ns
(29)todv 输出 数据 有效的 至 memw 高 tcy-35 - tcy-10 - ns
(30)tqs dreq 至 clk 低 (si, s4) 建制 时间 0 - 0 - ns
(31)trh clk 至 准备好 低 支撑 时间 20 - 10 - ns
(32)trs 准备好 至 clk 低 建制 时间 35 - 15 - ns
(33)tclsh adstb 高 从 clk 低 延迟 时间 - 70 - 70 ns
(34)tclsl adstb 低 从 clk 低 延迟 时间 - 120 - 60 ns
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