8XC151SASB 高-效能 CHMOS 微控制器
表格 8 直流 特性 在 V
CC
e
45V
b
55V
(持续)
标识 参数 最小值 典型 最大值 单位 测试 情况
V
OH1
输出 高 电压 V
CC
b
03 V I
OH
eb
200
m
一个
(端口 0 在 外部 V
CC
b
07 I
OH
eb
32 毫安
地址) V
CC
b
15 I
OH
eb
70 毫安
V
OH2
输出 高 电压 V
CC
b
03 V I
OH
eb
200
m
一个
(端口 2 在 外部 V
CC
b
07 I
OH
eb
32 毫安
地址 在 页 V
CC
b
15 I
OH
eb
70 毫安
模式)
I
IL
Logical 0 输入 cur-
b
50
m
AV
在
e
045V
rent (端口 1 2 3)
I
LI
输入 泄漏 cur-
g
10
m
一个 045
k
V
在
k
V
CC
rent (端口 0)
I
TL
Logical 1-至-0 transi-
b
650
m
AV
在
e
20V
tion 电流 (端口 1
2 3)
R
RST
RST Pulldown 电阻 40 225 k
X
C
IO
管脚 电容 10 pF F
OSC
e
16 MHz
(便条 4) T
一个
e
25
C
I
PD
Powerdown 电流 10
k
20
m
一个
(便条 4)
I
DL
空闲 模式 电流 13 20 毫安 F
OSC
e
16 MHz
(便条 4)
I
CC
运行 电流 71 85 毫安 F
OSC
e
16 MHz
(便条 4)
NOTES
1 下面 稳步的-状态 (非-瞬时) conditions I
OL
必须 是 externally 限制 作 follows
最大 I
OL
每 端口 pin 10 毫安
最大 I
OL
每 8-位 port
端口 0 26 毫安
端口 1–3 15 毫安
最大 总的 I
OL
为
所有 输出 管脚 71 毫安
如果 I
OL
超过 这 测试 conditions V
OL
将 超过 这 related specification 管脚 是 不 有保证的 至 下沉 电流
更好 比 这 列表 测试 conditions
2 电容的 加载 在 端口 0 和 2 将 导致 spurious 噪音 脉冲 在之上 04V 在 这 低-水平的 输出 的 ALE 和
端口 1 2 和 3 这 噪音 是 预定的 至 外部 总线 电容 discharging 在 这 端口 0 和 端口 2 管脚 当 这些
管脚 改变 从 高 至 low 在 产品 在哪里 电容的 加载 超过 100 pF 这 噪音 脉冲 在 这些
信号 将 超过 08V 它 将 是 desirable 至 qualify ALE 或者 其它 信号 和 一个 施密特 触发 或者 cmos-水平的 输入
logic
3 电容的 加载 在 端口 0 和 2 导致 这 V
OH
在 ALE 和 PSEN
至 漏出 在下 这 规格 当 这
地址 线条 是 stabilizing
4 典型 值 是 得到 使用 V
CC
e
50 T
一个
e
25
C 和 是 不 guaranteed
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