8XC151SASB 高-效能 CHMOS 微控制器
程序编制 和 VERIFYING
NONVOLATILE 记忆
这 87C151SASB 有 一些 areas 的 nonvolatile
记忆 那 能 是 编写程序 andor verified
在-碎片 代号 记忆 (816 kbytes) 锁 位 (3
位) encryption 排列 (128 字节) 和 signature
字节 (3 字节)
图示 16 显示 这 建制 为 程序编制 andor
verifying 这 nonvolatile memory 表格 11 lists 这
程序编制 和 verification 行动 和 indi-
cates 这个 行动 应用 至 这 不同的 ver-
sions 的 这 87C151SASB 它 也 specifies 这 sig-
nals 在 这 程序编制 输入 (prog
) 和 这
ports 这 ROMOTPROM 模式 (端口 0) specifies
这 运作 (程序 或者 核实) 和 这 根基 ad-
dress 的 这 记忆 area 这 地址 (端口 1
和 3) 是 相关的 至 这 根基 address (在-碎片
记忆 为 一个 16-kbyte ROMOTPROM 设备 是 lo-
cated 在 地址 范围 0000H–3FFFH 这 其它
areas 的 这 ROMOTPROM 是 外部 这 memo-
ry 地址 空间 和 是 accessible 仅有的 在 pro-
gramming 和 verification)
信息 在 计算数量 17 和 18 定义 这 configu-
限定 bits 图示 19 显示 这 波形 为 这
程序编制 和 verification cycles 和 表格 12
lists 这 定时 specifications 这 signature 字节 的
这 83C151SASB 只读存储器 版本 和 这
87C151SASB OTPROM 版本 是 工厂 pro-
grammed 表格 13 lists 这 地址 和 这 con-
tents 的 这 signature bytes
工厂-编写程序 只读存储器 和 OTPROM 版本
的 8XC151SASB 使用 配置 字节 信息
有提供的 在 一个 独立的 hexadecimal disk file
8XC151SASB 设备 没有 内部的
ROMOTPROM arrays fetch 配置 字节 在-
组成 从 外部 应用 记忆 为基础
在 一个 内部的 地址 范围 的 FFF98H
NOTE
这 V
PP
源 在 图示 16 必须 是 好 regu-
lated 和 自由 的 glitches 这 电压 在 这 V
PP
管脚 必须 不 超过 这 指定 maximum
甚至 下面 瞬时 conditions
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