进步 信息
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19
©2001 硅 存储 技术, 公司 s71161-06-000 9/01 504
绝对 最大 压力 比率
(应用 情况 更好 比 那些 列表 下面 “absolute 最大
压力 ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 比率 仅有的 和 函数的 运作
的 这 设备 在 这些 情况 或者 情况 更好 比 那些 定义 在 这 运算的 sections 的 这个 数据
薄板 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 压力 比率 情况 将 影响 设备 可靠性.)
温度 下面 偏差 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . -55°c 至 +125°c
存储 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . -65°c 至 +150°c
d. c. 电压 在 任何 管脚 至 地面 潜在的 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.5v 至
V
DD
+0.5v
瞬时 电压 (<20 ns) 在 任何 管脚 至 地面 潜在的
1
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -2.0v 至
V
DD
+2.0v
包装 电源 消耗 能力 (ta=25°c). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . 1.0w
表面 挂载 含铅的 焊接 温度 (3 秒) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . 240°C
输出 short 电路 电流
2
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50毫安
1. 做 不 violate 处理器 或者 chipset 限制 在 这 init# 管脚.
2. 输出 短接 为 非 更多 比 一个 第二. 非 更多 比 一个 输出 短接 在 一个 时间. 这个 便条 应用 至 非-pci 输出.
O
PERATING
R
ANGE
范围 包围的 温度 V
DD
商业的 0°c 至 +85°c 3.0-3.6v
交流 c
ONDITIONS
的
T
EST
1
1. fwh 接口 信号 使用 pci 加载 测试 情况
输入 上升/下降 时间. . . . . . . . . . . . . . .3 ns
输出 加载. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .C
L
= 30 pf
看 计算数量 24 和 25
表格 11: 直流 o
PERATING
C
HARACTERISTICS
(一个
LL
I
NTERFACE
)
标识 参数
限制
测试 情况最小值 最大值 单位
I
DD
电源 供应 电流 地址 输入=v
IL
/
V
IH
, 在 f=1/t
RC
最小值,
V
DD
=V
DD
最大值 (pp 模式)
读 12 毫安 OE#=
V
IH
, we#=
V
IH
写 24 毫安 OE#=
V
IH
, we#=v
IL
, v
DD
=V
DD
最大值 (pp 模式)
I
SB
备用物品 v
DD
电流
(fwh 接口)
100 µA fwh4=0.9v
DD
, f=33 mhz v
DD
=V
DD
最大值, 所有
其它 输入
≥
0.9 v
DD
或者
≤
0.1 v
DD
I
RY
1
1. 这 设备 是 在 准备好 模式 当 非 activity 是 在 这 fwh 总线.
准备好 模式 v
DD
电流
(fwh 接口)
10 毫安 FWH4=V
IL
, f=33 mhz v
DD
=V
DD
最大值 所有 其它
输入
≥
0.9 v
DD
或者
≤
0.1 v
DD
I
I
输入 电流 为 ic,
id [3:0] 管脚
200 µA V
在
=地 至 v
DD
, v
DD
=V
DD
最大值
I
LI
输入 泄漏 电流 1 µA V
在
=地 至 v
DD
, v
DD
=V
DD
最大值
I
LO
输出 泄漏 电流 1 µA V
输出
=地 至 v
DD
, v
DD
=V
DD
最大值
V
IHI
2
2. 做 不 violate 处理器 或者 chipset规格 关于 init# 电压.
init# 输入 高 电压 1.0 V
DD
+0.5 V V
DD
=V
DD
最大值
V
ILI
2
init# 输入 低 电压 -0.5 0.4 V V
DD
=V
DD
最小值
V
IL
输入 低 电压 -0.5 0.3 v
DD
VV
DD
=V
DD
最小值
V
IH
输入 高 电压 0.5 v
DD
V
DD
+0.5 V V
DD
=V
DD
最大值
V
OL
输出 低 电压 0.1 v
DD
VI
OL
=1500µa, v
DD
=V
DD
最小值
V
OH
输出 高 电压 0.9 v
DD
VI
OH
=-500 µa, v
DD
=V
DD
最小值
t11.8 504
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