TC1413EOA_集成电路资料查询网

4-205
telcom 半导体, 公司
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3a 高 速 场效应晶体管 驱动器
TC1413
TC1413N
10
20
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40
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70
16141210864
V
DD
(伏特)
上升 时间 vs. 供应 电压
C
加载
= 1800pf
T
上升
(nsec)
T
一个
= –40
°
C
T
一个
= 25
°
C
T
一个
= 85
°
C
10
20
30
40
50
60
70
16141210864
V
DD
(伏特)
下降 时间 vs. 供应 电压
C
加载
= 1800pf
T
下降
(nsec)
T
一个
= –40
°
C
T
一个
= 25
°
C
T
一个
= 85
°
C
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
16141210864
V
DD
(伏特)
T
D1
传播 延迟 vs. 供应 电压
C
加载
= 1800pf
T
D1
(nsec)
T
一个
= –40
°
C
T
一个
= 25
°
C
T
一个
= 85
°
C
20
30
40
50
60
70
80
90
100
16141210864
V
DD
(伏特)
T
D2
传播 延迟 vs. 供应 电压
C
加载
= 1800pf
T
D2
(nsec)
T
一个
= –40
°
C
T
一个
= 25
°
C
T
一个
= 85
°
C
0 1000 2000 3000 4000 5000
0
10
20
30
40
C
加载
(pf)
上升 和 下降 时间 vs. 电容的 加载
T
一个
= 25
°
c, v
DD
= 16v
T
上升
, t
下降
(nsec)
T
下降
T
上升
0 1000 2000 3000 4000 5000
28
29
30
31
32
33
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35
C
加载
(pf)
传播 延迟 vs. 电容的 加载
T
一个
= 25
°
c, v
DD
= 16v
传播 延迟 (nsec)
T
D2
T
D1
典型 特性
(内容.)

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4-205 telcom 半导体, 公司 7 6 5 4 3 1 2 8 3a 高速场效应晶体管驱动器 TC1413 TC1413N 10 20 30 40 50 60 70 16141210864 V DD (伏特) 上升时间 vs. 供应电压 C 加载 = 1800pf T 上升 (nsec) T 一个 = –40 ° C T 一个 = 25 ° C T 一个 = 85 ° C 10 20 30 40 50 60 70 16141210864 V DD (伏特) 下降时间 vs. 供应电压 C 加载 = 1800pf T 下降 (nsec) T 一个 = –40 ° C T 一个 = 25 ° C T 一个 = 85 ° C 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 16141210864 V DD (伏特) T D1 传播延迟 vs. 供应电压 C 加载 = 1800pf T D1 (nsec) T 一个 = –40 ° C T 一个 = 25 ° C T 一个 = 85 ° C 20 30 40 50 60 70 80 90 100 16141210864 V DD (伏特) T D2 传播延迟 vs. 供应电压 C 加载 = 1800pf T D2 (nsec) T 一个 = –40 ° C T 一个 = 25 ° C T 一个 = 85 ° C 0 1000 2000 3000 4000 5000 0 10 20 30 40 C 加载 (pf) 上升和下降时间 vs. 电容的加载 T 一个 = 25 ° c, v DD = 16v T 上升 , t 下降 (nsec) T 下降 T 上升 0 1000 2000 3000 4000 5000 28 29 30 31 32 33 34 35 C 加载 (pf) 传播延迟 vs. 电容的加载 T 一个 = 25 ° c, v DD = 16v 传播延迟 (nsec) T D2 T D1 典型特性 (内容.)

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