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资料编号:1047627
 
资料名称:TC58FVM5B2AFT65
 
文件大小: 799K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
tc58fvm5(t/b)(2/3)一个(ft/xb)65
2003-01-29 24/63
command 写/程序/擦掉 循环
标识 参数
最小值 最大值
单位
t
CMD
command 写 循环 时间 60
ns
tAS
地址 设置-向上 时间/ 字节 设置-向上 时间 0
ns
t
AH
地址 支撑 时间/ 字节 支撑 时间 30
ns
t
DS
数据 设置-向上 时间 30
ns
t
DH
数据 支撑 时间 0
ns
t
WELH
我们
低-水平的 支撑 时间
(
我们
控制
)
30
ns
t
WEHH
我们
高-水平的 支撑 时间
(
我们
控制
)
20
ns
t
CES
CE
设置-向上 时间 至 我们 起作用的 ( 我们 控制) 0
ns
t
CEH
CE
支撑 时间 从 我们 高 水平的 ( 我们 控制) 0
ns
t
CELH
CE
低-水平的 支撑 时间 (
CE
控制) 30
ns
t
CEHH
CE
高-水平的 支撑 时间 (
CE
控制) 20
ns
t
WES
我们 设置-向上 时间 至
CE
起作用的 (
CE
控制) 0
ns
t
WEH
我们 支撑 时间 从
CE
高 水平的 (
CE
控制) 0
ns
t
OES
OE
设置-向上 时间 0
ns
t
OEHP
OE
支撑 时间 (toggle, 数据 polling) 10
ns
t
OEHT
OE
高-水平的 支撑 时间 (toggle) 20
ns
t
AHT
地址 支撑 时间 (toggle) 0
ns
t
AST
地址 设置-向上 时间 (toggle) 0
ns
t
BEH
擦掉 支撑 时间 50
µ
s
t
VDS
V
DD
设置-向上 时间 500
µ
s
程序/擦掉 有效的 至 用/RY 延迟
90 ns
t
BUSY
程序/擦掉 有效的 至
用/RY 延迟 在 suspend 模式
300 ns
t
RP
重置
低-水平的 支撑 时间 500
ns
t
准备好
重置
低-水平的 至 读 模式
20
µ
s
t
RB
用/RY 恢复 时间 0
ns
t
RH
重置
恢复 时间 50
ns
t
CEBTS
CE
设置-向上 时间 字节 转变 5
ns
t
BTD
字节 至 输出 高-z
30 ns
t
SUSP
程序 suspend command 至 suspend 模式
1.6
µ
s
t
SUSPA
页 程序 suspend command 至 suspend 模式
2.0
µ
s
t
RESP
程序 重新开始 command 至 程序 模式
1
µ
s
t
SUSE
擦掉 suspend command 至 suspend 模式
15
µ
s
t
RESE
擦掉 重新开始 command 至 擦掉 模式
1
µ
s
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