TLE 4299
数据 薄板 rev. 1.0 14 2002-01-17
重置
这 电源 在 重置 特性 是 需要 为 一个 定义 开始 的 这 微处理器 当
切换 在 这 应用. 为 这 重置 延迟 时间 之后 这 输出 电压 的 这
调整器 是 在之上 这 重置 门槛, 这 重置 信号 是 设置 高 又一次. 这 重置 延迟
时间 是 定义 用 这 重置 延迟 电容
C
D
在 管脚 d.
这 下面-电压 重置 电路系统 supervises 这 输出 电压. 在 情况
V
Q
减少
在下 这 重置 门槛 这 重置 输出 是 设置 低 之后 这 重置 reaction 时间. 这
重置 低 信号 是 发生 向下 至 一个 输出 电压
V
Q
至 1 v. 两个都 这 重置
reaction 时间 和 这 重置 延迟 时间 是 定义 用 这 电容 值.
这 电源 在 重置 延迟 时间 是 定义 用 这 charging 时间 的 一个 外部 延迟
电容
C
D
.
C
D
= (
t
d
I
D
) /
V
[1]
和
C
D
重置 延迟 电容
t
d
重置 延迟 时间
V
=
V
UD
, 典型 1.8 v 为 电源 向上 重置
V
=
V
UD
–
V
LD
典型 1.35 v 为 欠压 重置
I
D
承担 电流 典型 6.5
一个
为 一个 延迟 电容
C
D
=100 nf 这 典型 电源 在 重置 延迟 时间 是 28 ms.
这 重置 reaction 时间
t
RR
是 这 时间 它 takes 这 电压 调整器 至 设置 重置 输出
低 之后 这 输出 电压 有 dropped 在下 这 重置 门槛. 它 是 典型地 1
s
为 延迟 电容 的 100 nf. 为 其它 值 为
C
D
这 reaction 时间 能 是 estimated
使用 这 下列的 等式:
t
RR
= 10 ns / nf
C
D
[2]
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