TPS54910
SLVS421B
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march 2002
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修订 8月 2002
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错误 放大器
这 高 效能, 宽 带宽, 电压 错误
放大器 sets 这 tps54910 apart 从 大多数 直流/直流
转换器. 这 用户 是 给 这 flexibility 至 使用 一个 宽
范围 的 输出 l 和 c 过滤 组件 至 合适 这
particular 应用 needs. 类型-2 或者 类型-3
补偿 能 是 运用 使用 外部
补偿 组件.
pwm 控制
信号 从 这 错误 放大器 输出, 振荡器, 和
电流 限制 电路 是 processed 用 这 pwm 控制
逻辑. referring 至 这 内部的 块 图解, 这 控制
逻辑 包含 这 pwm 比较器, 或者 门, pwm 获得,
和 portions 的 这 adaptive dead-时间 和 控制-逻辑
块. 在 稳步的-状态 运作 在下 这 电流
限制 门槛, 这 pwm 比较器 输出 和 振荡器
脉冲波 train alternately 重置 和 设置 这 pwm 获得. once
这 pwm 获得 是 设置, 这 低-一侧 场效应晶体管 仍然是 在 为 一个
最小 持续时间 设置 用 这 振荡器 脉冲波 宽度. 在
这个 时期, 这 pwm ramp discharges 迅速 至 它的 valley
电压. 当 这 ramp begins 至 承担 后面的 向上, 这
低-一侧 场效应晶体管 转变 止 和 高-一侧 场效应晶体管 转变 在. 作 这
pwm ramp 电压 超过 这 错误 放大器 输出
电压, 这 pwm 比较器 resets 这 获得, 因此
turning 止 这 高-一侧 场效应晶体管 和 turning 在 这 低-一侧
场效应晶体管. 这 低-一侧 场效应晶体管 仍然是 在 直到 这 next 振荡器
脉冲波 discharges 这 pwm ramp.
在 瞬时 情况, 这 错误 放大器 输出
可以 是 在下 这 pwm ramp valley 电压 或者 在之上 这
pwm 顶峰 电压. 如果 这 错误 放大器 是 高, 这 pwm
获得 是 从不 重置, 和 这 高-一侧 场效应晶体管 仍然是 在 直到
这 振荡器 脉冲波 信号 这 控制 逻辑 至 转变 这
高-一侧 场效应晶体管 止 和 这 低-一侧 场效应晶体管 在. 这 设备
运作 在 它的 最大 职责 循环 直到 这 输出 电压
rises 至 这 规章制度 设置-要点, 设置 vsense 至
大概 这 一样 电压 作 vref. 如果 这 错误
放大器 输出 是 低, 这 pwm 获得 是 continually 重置
和 这 高-一侧 场效应晶体管 做 不 转变 在. 这 低-一侧 场效应晶体管
仍然是 在 直到 这 vsense 电压 减少 至 一个
范围 那 准许 这 pwm 比较器 至 改变 states.
这 tps54910 是 有能力 的 sinking 电流 continuously
直到 这 输出 reaches 这 规章制度 设置-要点.
如果 这 电流 限制 比较器 trips 为 变长 比 100 ns,
这 pwm 获得 resets 在之前 这 pwm ramp 超过 这
错误 放大器 输出. 这 高-一侧 场效应晶体管 转变 止 和
低-一侧 场效应晶体管 转变 在 至 decrease 这 活力 在 这 输出
inductor 和 consequently 这 输出 电流. 这个
处理 是 重复的 各自 循环 在 这个 这 电流 限制
比较器 是 tripped.
dead-时间 控制 和 场效应晶体管
驱动器
adaptive dead-时间 控制 阻止 shoot-通过
电流 从 流 在 两个都 n-频道 电源 mosfets
在 这 切换 transitions 用 actively controlling 这
turnon 时间 的 这 场效应晶体管 驱动器. 这 高-一侧 驱动器
做 不 转变 在 直到 这 电压 在 这 门 的 这 低-一侧
场效应晶体管 是 在下 2 v. 当 这 低-一侧 驱动器 做 不 转变
在 直到 这 电压 在 这 门 的 这 高-一侧 场效应晶体管
是 在下 2 v.
这 高-一侧 和 低-一侧 驱动器 是 设计 和
300-毫安 源 和 下沉 能力 至 quickly 驱动 这
电源 mosfets 门. 这 低-一侧 驱动器 是 有提供的
从 vin, 当 这 高-一侧 驱动 是 有提供的 从 这
激励 管脚. 一个 自举 电路 使用 一个 外部 激励
电容 和 一个 内部的 2.5-
Ω
自举 转变
连接 在 这 vin 和 激励 管脚. 这
整体的 自举 转变 改进 驱动 效率 和
减少 外部 组件 计数.
overcurrent 保护
这 循环-用-循环 电流 限制的 是 达到 用 感觉到
这 电流 流 通过 这 高-一侧 场效应晶体管 和
comparing 这个 信号 至 一个 preset overcurrent 门槛.
这 高 一侧 场效应晶体管 是 转变 止 在里面 200 ns 的
reaching 这 电流 限制 门槛. 一个 100-ns leading 边缘
blanking 电路 阻止 电流 限制 false tripping.
电流 限制 发现 occurs 仅有的 当 电流 flows 从
vin 至 ph 当 sourcing 电流 至 这 输出 过滤. 加载
保护 在 电流 下沉 运作 是 提供 用
热的 关闭.
热的 关闭
这 设备 使用 这 热的 关闭 至 转变 止 这 电源
mosfets 和 使不能运转 这 控制 如果 这 接合面
温度 超过 150
°
c. 这 设备 是 released 从
关闭 automatically 当 这 接合面 温度
减少 至 10
°
c 在下 这 热的 关闭 trip 要点,
和 开始 向上 下面 控制 的 这 慢-开始 电路.
热的 关闭 提供 保护 当 一个 超载
情况 是 sustained 为 一些 milliseconds. 和 一个
persistent 故障 情况, 这 设备 循环 continuously;
开始 向上 用 控制 的 这 软-开始 电路, 加热 向上 预定的
至 这 故障 情况, 和 然后 关闭 向下 在之上
reaching 这 热的 关闭 trip 要点. 这个 sequence
repeats 直到 这 故障 情况 是 移除.
电源-好的 (pwrgd)
这 电源 好的 电路 monitors 为 下面 电压
情况 在 vsense. 如果 这 电压 在 vsense 是 10%
在下 这 涉及 电压, 这 打开-流 pwrgd
输出 是 牵引的 低. pwrgd 是 也 牵引的 低 如果 vin 是
较少 比 这 uvlo 门槛 或者 ss/ena 是 低. 当 vin
≥
uvlo 门槛, ss/ena
≥
使能 门槛, 和
vsense > 90% 的 v
ref
, 这 打开 流 输出 的 这
pwrgd 管脚 是 高. 一个 hysteresis 电压 equal 至 3% 的
V
ref
和 一个 35
µ
s 下落 边缘 deglitch 电路 阻止
tripping 的 这 电源 好的 比较器 预定的 至 高
频率 噪音.
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