九月 1993 8
飞利浦 半导体 产品 规格
4-位 x 64-文字 先进先出 寄存器; 3-状态 74hc/hct7403
t
W
dir 脉冲波 宽度
高
10
5
4
41
15
12
130
26
22
8
4
3
165
33
28
8
4
3
195
39
33
ns
ns
ns
2.0
4.5
6.0
图.7
t
W
dor 脉冲波
宽度 高
14
7
6.0
52
19
15
160
32
27
12
6
5
200
40
34
12
6.0
5.0
240
48
41
ns
ns
ns
2.0
4.5
6.0
图.10
t
W
mr 脉冲波 宽度
低
120
24
20
39
14
11
−
−
−
150
30
26
−
−
−
180
36
31
−
−
−
ns
ns
ns
2.0
4.5
6.0
图.8
t
rem
除去 时间
mr 至 si
80
16
14
24
8
7
−
−
−
100
20
17
−
−
−
120
24
20
−
−
−
ns
ns
ns
2.0
4.5
6.0
图.15
t
su
设置-向上 时间
D
n
至 si
−
8
−
4
−
3
−
36
−
13
−
10
−
−
−
−
6
−
3
−
3
−
−
−
−
6
−
3
−
3
−
−
−
ns
ns
ns
2.0
4.5
6.0
图.13
t
h
支撑 时间
D
n
至 si
135
27
23
44
16
13
−
−
−
170
34
29
−
−
−
205
41
35
−
−
−
ns
ns
ns
2.0
4.5
6.0
图.13
f
最大值
最大
时钟 脉冲波
频率
si, 所以 burst
模式
3.6
18
21
9.9
30
36
−
−
−
2.8
14
16
−
−
−
2.4
12
14
−
−
−
MHz
MHz
MHz
2.0
4.5
6.0
figs 11 和 12
f
最大值
最大 时钟
脉冲波 频率
si, 所以 使用
flags
3.6
18
21
9.9
30
36
−
−
−
2.8
14
16
−
−
−
2.4
12
14
−
−
−
MHz
MHz
MHz
2.0
4.5
6.0
figs 6 和 9
f
最大值
最大 时钟
脉冲波 频率
si, 所以
倾泻
−
−
−
7.6
23
27
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
MHz
MHz
MHz
2.0
4.5
6.0
figs 6 和 9
标识 参数
T
amb
(
°
c)
单位
测试 情况
+
25
−
40 至
+
85
−
40 至
+
125
V
CC
(v)
波形
最小值 典型值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
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