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TDA 4862
半导体 组 14 1998-02-16
门槛 电压 改变
∆
V
FB
相比
接合面 温度
T
j
门槛 电压
V
DETIN
相比
接合面 温度
T
j
门槛 电压
V
ISENSE
相比
规章制度 电流
I
RVAOUT
电流 sense 门槛
V
ISENSE
相比
乘法器 输入
V
MULTIN
-50
-15
-10
-5
0
0 50 100
C
T
j
mV
5
10
IED01755
V
FB
150
∆
CC
V
= 12 v
管脚 1 连接 至 管脚 2
-50
0
0 50 100
C
T
j
150
1/v
3.00
IED01757
2.75
2.50
2.25
2.00
1.75
= 12 v
CC
V
= 1 v
MULTIN
V
= 地
VSENSE
V
= 地
ISENSE
V
DETIN
V
DETINupper
V
V
DETINlow
29
0.4
0.2
0
0.6
323130
0.8
1.0
1.4
RVAOUT
Ι
34
IED01756
33
µ
一个
V
CC
=12 v
V
V
ISENSE
150  c
25  c
-40  c
0.8
0
0.4
0.2
0
0.6
3
21
1.0
1.4
5
IED01758
4
V
V
V
ISENSE
MULTIN
V
4.0 v
3.5 v
3.0 v
2.75 v
VAOUT
V
= 2.5 v

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TDA 4862 半导体组 14 1998-02-16 门槛电压改变 ∆ V FB 相比接合面温度 T j 门槛电压 V DETIN 相比接合面温度 T j 门槛电压 V ISENSE 相比规章制度电流 I RVAOUT 电流 sense 门槛 V ISENSE 相比乘法器输入 V MULTIN -50 -15 -10 -5 0 0 50 100 C T j mV 5 10 IED01755 V FB 150 ∆ CC V = 12 v 管脚 1 连接至管脚 2 -50 0 0 50 100 C T j 150 1/v 3.00 IED01757 2.75 2.50 2.25 2.00 1.75 = 12 v CC V = 1 v MULTIN V = 地 VSENSE V = 地 ISENSE V DETIN V DETINupper V V DETINlow 29 0.4 0.2 0 0.6 323130 0.8 1.0 1.4 RVAOUT Ι 34 IED01756 33 µ 一个 V CC =12 v V V ISENSE 150 c 25 c -40 c 0.8 0 0.4 0.2 0 0.6 3 21 1.0 1.4 5 IED01758 4 V V V ISENSE MULTIN V 4.0 v 3.5 v 3.0 v 2.75 v VAOUT V = 2.5 v

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