首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:1055015
 
资料名称:DS18B20
 
文件大小: 321.88K
   
说明
 
介绍:
DS18B20
 
 


: 点此下载
  浏览型号DS18B20的Datasheet PDF文件第16页
16
浏览型号DS18B20的Datasheet PDF文件第17页
17
浏览型号DS18B20的Datasheet PDF文件第18页
18
浏览型号DS18B20的Datasheet PDF文件第19页
19

20
浏览型号DS18B20的Datasheet PDF文件第21页
21
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
DS18B20
20 的 21
交流 电的 特性: nv 记忆
(-55°c 至 +100°c; v
DD
= 3.0v 至 5.5v)
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
nv 写 循环 时间 t
wr
2 10 ms
可擦可编程只读存储器 写 N
EEWR
-55°c 至 +55°c 50k
可擦可编程只读存储器 数据 保持 t
EEDR
-55°c 至 +55°c 10
交流 电的 特性
(-55°c 至 +125°c; v
DD
= 3.0v 至 5.5v)
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位 注释
温度 转换 t
CONV
9-位 决议 93.75 ms 1
时间 10-位 决议 187.5 ms 1
11-位 决议 375 ms 1
12-位 决议 750 ms 1
时间 至 强 pullup 在 t
SPON
开始 转变 t
command issued
10 µs
时间 slot t
SLOT
60 120 µs 1
恢复 时间 t
REC
1 µs 1
写 0 低 时间 r
LOW0
60 120 µs 1
写 1 低 时间 t
LOW1
1 15 µs 1
读 数据 有效的 t
RDV
15 µs 1
重置 时间 高 t
RSTH
480 µs 1
重置 时间 低 t
RSTL
480 µs 1,2
存在 发现 高 t
PDHIGH
15 60 µs 1
存在 发现 低 t
PDLOW
60 240 µs 1
电容 c
在/输出
25 pf
注释:
1) 谈及 至 定时 图解 在 图示 18.
2) 下面 parasite 电源, 如果 t
RSTL
> 960
s, 一个 电源 在 重置 将 出现.
典型 效能 曲线
图示 17
ds18b20 典型 错误 曲线
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0 10203040506070
温度 (°c)
温度计 错误 (°c)
意思 错误
+3s 错误
-3s 错误
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com