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4 megabit (512k x 8) superflash 可擦可编程只读存储器
sst28sf040, sst28lf040, sst28vf040
数据 薄板
© 1998 硅 存储 技术, 公司 这 sst 标志 和 superflash 是 注册 商标 的 硅 存储 技术, 在c. 这些 规格 是 主题 至 改变 没有 注意.
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产品 描述
这 28sf040/28lf040/28vf040 是 512k x 8 位
cmos sector 擦掉, 字节 程序 eeproms. 这
28sf040/28lf040/28vf040 是 制造的 使用
sst’s 专卖的, 高 效能 cmos superflash
可擦可编程只读存储器 技术. 这 分割 门 cell 设计 和
厚 oxide tunneling injector attain 更好的 可靠性 和
manufacturability 对照的 和 alternative ap-
proaches. 这 28sf040/28lf040/28vf040 擦掉 和
程序 和 一个 单独的 电源 供应. 这 28sf040/
28lf040/28vf040 遵从 至 电子元件工业联合会 标准 pinouts
为 字节 宽 memories 和 是 兼容 和 存在
工业 标准 非易失存储器, flash 非易失存储器 和 可擦可编程只读存储器
pinouts.
featuring 高 效能 程序编制, 这
28sf040/28lf040/28vf040 典型地 字节 程序 在
35 µs. 这 28sf040/28lf040/28vf040 典型地 sector
擦掉 在 2 ms. 两个都 程序 和 擦掉 时间 能 是
优化 使用 接口 特性 此类 作 toggle 位 或者
data# polling 至 表明 这 completion 的 这 写
循环. 至 保护 相反 一个 inadvertent 写, 这
28sf040/28lf040/28vf040 有 在 碎片 硬件
和 软件 数据 保护 schemes. 设计,
制造的, 和 测试 为 一个 宽 spectrum 的 applica-
tions, 这 28sf040/28lf040/28vf040 是 offered 和 一个
有保证的 sector 忍耐力 的 10
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或者 10
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循环. 数据
保持 是 评估 更好 比 100 年.
这 28sf040/28lf040/28vf040 是 最好的 suited 为
产品 那 需要 reprogrammable nonvolatile
mass 存储 的 程序, 配置, 或者 数据
记忆. 为 所有 系统 产品, 这 28sf040/
28lf040/28vf040 significantly 改进 效能
和 可靠性, 当 lowering 电源 消耗量 当
对照的 和 floppy diskettes 或者 非易失存储器 approaches.
可擦可编程只读存储器 技术 制造 可能 便利的 和
economical updating 的 代号 和 控制 programs 在-
线条. 这 28sf040/28lf040/28vf040 改进 flexibil-
ity, 当 lowering 这 费用 的 程序 和 配置
存储 应用.
这 函数的 块 图解 显示 这 函数的
blocks 的 这 28sf040/28lf040/28vf040. 计算数量 1
和 2 显示 这 管脚 assignments 为 这 32 管脚 tsop, 32
管脚 pdip, 和 32 管脚 plcc 包装. 管脚 描述
和 运作 模式 是 描述 在 tables 1
通过 4.
设备 运作
commands 是 使用 至 initiate 这 记忆 运作
功能 的 这 设备. commands 是 写 至 这
设备 使用 标准 微处理器 写 sequences.
一个 command 是 写 用 asserting we# 低 当
keeping ce# 低. 这 地址 总线 是 latched 在 这
下落 边缘 的 we# 或者 ce#, whichever occurs last. 这
数据 总线 是 latched 在 这 rising 边缘 的 we# 或者 ce#,
whichever occurs 第一. 便条, 在 这 软件 数据
保护 sequence 这 地址 是 latched 在 这
rising 边缘 的 oe# 或者 ce#, whichever occurs 第一.
特性:
• 单独的 电压 读 和 写 行动
– 5.0v-仅有的 为 这 28sf040
– 3.0v-仅有的 为 这 28lf040
– 2.7v-仅有的 为 这 28vf040
• 更好的 可靠性
– 忍耐力: 100,000 循环 (典型)
– 更好 比 100 年 数据 保持
• 记忆 organization: 512k x 8
• sector 擦掉 能力: 256 字节 每 sector
• 低 电源 消耗量
– 起作用的 电流: 15 毫安 (典型) 为 5.0v 和
10 毫安 (典型) 为 3.0/2.7v
– 备用物品 电流: 5 µa (典型)
• 快 sector 擦掉/字节 程序 运作
– 字节 程序 时间: 35 µs (典型)
– sector 擦掉 时间: 2 ms (典型)
– 完全 记忆 rewrite: 20 秒 (典型)
• 快 读 进入 时间
– 5.0v-仅有的 运作: 120 和 150 ns
– 3.0v-仅有的 运作: 200 和 250 ns
– 2.7v-仅有的 运作: 250 和 300 ns
• latched 地址 和 数据
• 硬件 和 软件 数据 保护
– 7-读-循环-sequence 软件 数据
保护
• 终止 的 写 发现
– toggle 位
– data# polling
• ttl i/o 兼容性
• 包装 有
– 32-管脚 tsop (8 mm x 20 mm)
– 32-管脚 plcc
– 32-管脚 pdip
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