2-12
© 1998 硅 存储 技术, 公司 310-04 12/97
4 megabit superflash 可擦可编程只读存储器
sst28sf040, sst28lf040, sst28vf040
T
能
11: 28lf040 r
EAD
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
ieee 工业 28lf040-200 28lf040-250
标识 标识 参数 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
tAVAV T
RC
读 循环 时间 200 250 ns
tAVQV T
AA
地址 进入 时间 200 250 ns
tELQV T
CE
碎片 使能 进入 时间 200 250 ns
tGLQV T
OE
输出 使能 进入 时间 120 120 ns
tEHQZ T
CLZ
(1)
ce# 低 至 起作用的 输出 0 0 ns
tGHQZ T
OLZ
(1)
oe# 低 至 起作用的 输出 0 0 ns
tELQX T
CHZ
(1)
ce# 高 至 高-z 输出 60 60 ns
tGLQX T
OHZ
(1)
oe# 高 至 高-z 输出 60 60 ns
tAXQX T
OH
(1)
输出 支撑 从 地址 0 0 ns
改变
310 pgm t11.0
T
能
12: 28vf040 r
EAD
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
ieee 工业 28vf040-250 28vf040-300
标识 标识 参数 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
tAVAV T
RC
读 循环 时间 250 300 ns
tAVQV T
AA
地址 进入 时间 250 300 ns
tELQV T
CE
碎片 使能 进入 时间 250 300 ns
tGLQV T
OE
输出 使能 进入 时间 120 150 ns
tEHQZ T
CLZ
(1)
ce# 低 至 起作用的 输出 0 0 ns
tGHQZ T
OLZ
(1)
oe# 低 至 起作用的 输出 0 0 ns
tELQX T
CHZ
(1)
ce# 高 至 高-z 输出 60 60 ns
tGLQX T
OHZ
(1)
oe# 高 至 高-z 输出 60 60 ns
tAXQX T
OH
(1)
输出 支撑 从 地址 0 0 ns
改变
310 pgm t12.0
310 pgm t10.1
交流 特性
T
能
10: 28sf040 r
EAD
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
ieee 工业 28sf040-120 28sf040-150
标识 标识 参数 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
tAVAV T
RC
读 循环 时间 120 150 ns
tAVQV T
AA
地址 进入 时间 120 150 ns
tELQV T
CE
碎片 使能 进入 时间 120 150 ns
tGLQV T
OE
输出 使能 进入 时间 50 70 ns
tEHQZ T
CLZ
(1)
ce# 低 至 起作用的 输出 0 0 ns
tGHQZ T
OLZ
(1)
oe# 低 至 起作用的 输出 0 0 ns
tELQX T
CHZ
(1)
ce# 高 至 高-z 输出 30 40 ns
tGLQX T
OHZ
(1)
oe# 高 至 高-z 输出 30 40 ns
tAXQX T
OH
(1)
输出 支撑 从 地址 改变 0 0 ns
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