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© 1998 硅 存储 技术, 公司 310-04 12/97
4 megabit superflash 可擦可编程只读存储器
sst28sf040, sst28lf040, sst28vf040
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14
15
16
T
能
13: 28sf040 e
RASE
/p
ROGRAM
C
YCLE
T
IMING
P
ARAMETERS
IEEE 工业
标识 标识 参数 最小值 最大值 单位
tAVA T
BP
字节 程序 循环 时间 40 µs
tWLWH T
WP
写 脉冲波 宽度 (we#) 100 ns
tAVWL T
作
地址 建制 时间 10 ns
tWLAX T
AH
地址 支撑 时间 50 ns
tELWL T
CS
ce# 建制 时间 0 ns
tWHEX T
CH
ce# 支撑 时间 0 ns
tGHWL T
OES
oe# 高 建制 时间 10 ns
tWGL T
OEH
oe# 高 支撑 时间 10 ns
tWLEH T
CP
写 脉冲波 宽度 (ce#) 100 ns
tDVWH T
DS
数据 建制 时间 50 ns
tWHDX T
DH
数据 支撑 时间 10 ns
tWHWL2 T
SE
sector 擦掉 循环 时间 4 ms
T
RST
(1)
重置 command 恢复 时间 4 µs
tWHWL3 T
SCE
软件 碎片_擦掉 循环 时间 20 ms
tEHEL T
CPH
ce# 高 脉冲波 宽度 50 ns
tWHWL1 T
WPH
we# 高 脉冲波 宽度 50 ns
T
PCP
(1)
保护 碎片 使能 脉冲波 宽度 10 ns
T
PCH
(1)
保护 碎片 使能 高 时间 10 ns
T
PAS
(1)
保护 地址 建制 时间 0 ns
T
PAH
(1)
保护 地址 支撑 时间 50 ns
便条:
(1)
这个 参数 是 量过的 仅有的 为 最初的 资格 和 之后 这 设计 或者 处理 改变 那 可以 影响 这个 参数.
310 pgm t13.0
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