SST28SF040_集成电路资料查询网

2-10
© 1998 硅 存储 技术, 公司 310-04  12/97
4 megabit superflash 可擦可编程只读存储器
sst28sf040, sst28lf040, sst28vf040
T
能
5: 28sf040 直流 o
PERATING
C
HARACTERISTICS
限制
标识 参数 最小值 最大值 单位 测试 情况
I
CC
电源 供应 电流 ce# = oe# =v
IL
, we# =v
IH
,
所有 i/os 打开
读 25 毫安 地址 输入 = v
IL
/v
ih,
在 f=1/t
RC
最小值
V
CC
= v
CC
最大值
程序 和 擦掉 40 毫安 ce# =we# =v
IL
,
oe# =v
IH
V
CC
=V
CC
最大值
I
SB1
备用物品 v
CC
电流 3 毫安 ce# =oe# =we# = v
IH
, v
CC
=V
CC
最大值
(ttl 输入)
I
SB2
备用物品 v
CC
电流 20 µA ce# = oe# = we# = v
CC
-0.3v,
(cmos 输入) V
CC
=V
CC
最大值
I
LI
输入 泄漏 电流 1 µA V
在
= 地 至 v
cc,
V
CC
= v
CC
最大值
I
LO
输出 泄漏 电流 10 µA V
输出
=地 至 v
cc,
V
CC
= v
CC
最大值
V
IL
输入 低 电压 0.8 V V
CC
= v
CC
最大值
V
IH
输入 高 电压 2.0 V V
CC
= v
CC
最大值
V
OL
输出 低 电压 0.4 V I
OL
= 2.1 毫安, v
CC
= v
CC
最小值
V
OH
输出 高 电压 2.4 V I
OH
= -400 µa, v
CC
= v
CC
最小值
V
H
supervoltage 为 一个
9
11.6 12.4 V CE#=OE#=V
il,
WE#=V
IH
I
H
supervoltage 电流 200 µA CE#=OE#=V
il,
WE#=V
ih,
一个
9 =
V
H
最大值
为 一个
9
310 pgm t5.0
T
能
6: 28lf040/28vf040  直流 o
PERATING
C
HARACTERISTICS
限制
标识 参数 最小值 最大值 单位 测试 情况
I
CC
电源 供应 电流 ce# = oe# =v
IL
, we# =v
IH
,
所有 i/os 打开
读 10 毫安 地址 输入 = v
IL
/v
ih,
在 f=1/t
RC
最小值
V
CC
= v
CC
最大值
程序 和 擦掉 25 毫安 ce# =we# =v
IL
,
oe# =v
IH
V
CC
=V
CC
最大值
I
SB1
备用物品 v
CC
电流 1 毫安 ce# =oe# =we# = v
IH
, v
CC
=V
CC
最大值
(ttl 输入)
I
SB2
备用物品 v
CC
电流 20 µA ce# = oe# = we# = v
CC
-0.3v,
(cmos 输入) V
CC
=V
CC
最大值
I
LI
输入 泄漏 电流 1 µA V
在
= 地 至 v
cc,
V
CC
= v
CC
最大值
I
LO
输出 泄漏 电流 10 µA V
输出
=地 至 v
cc,
V
CC
= v
CC
最大值
V
IL
输入 低 电压 0.8 V V
CC
= v
CC
最大值
V
IH
输入 高 电压 2.0 V V
CC
= v
CC
最大值
V
OL
输出 低 电压 0.4 V I
OL
= 100 µa, v
CC
= v
CC
最小值
V
OH
输出 高 电压 2.4 V I
OH
= -100 µa, v
CC
= v
CC
最小值
V
H
supervoltage 为 一个
9
11.6 12.4 V CE#=OE#=V
il,
WE#=V
IH
I
H
supervoltage 电流 200 µA CE#=OE#=V
il,
WE#=V
ih,
一个
9 =
V
H
最大值
为 一个
9
310 pgm t6.0

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2-10 © 1998 硅存储技术, 公司 310-04 12/97 4 megabit superflash 可擦可编程只读存储器 sst28sf040, sst28lf040, sst28vf040 T 能 5: 28sf040 直流 o PERATING C HARACTERISTICS 限制标识参数最小值最大值单位测试情况 I CC 电源供应电流 ce# = oe# =v IL , we# =v IH , 所有 i/os 打开读 25 毫安地址输入 = v IL /v ih, 在 f=1/t RC 最小值 V CC = v CC 最大值程序和擦掉 40 毫安 ce# =we# =v IL , oe# =v IH V CC =V CC 最大值 I SB1 备用物品 v CC 电流 3 毫安 ce# =oe# =we# = v IH , v CC =V CC 最大值 (ttl 输入) I SB2 备用物品 v CC 电流 20 µA ce# = oe# = we# = v CC -0.3v, (cmos 输入) V CC =V CC 最大值 I LI 输入泄漏电流 1 µA V 在 = 地至 v cc, V CC = v CC 最大值 I LO 输出泄漏电流 10 µA V 输出 =地至 v cc, V CC = v CC 最大值 V IL 输入低电压 0.8 V V CC = v CC 最大值 V IH 输入高电压 2.0 V V CC = v CC 最大值 V OL 输出低电压 0.4 V I OL = 2.1 毫安, v CC = v CC 最小值 V OH 输出高电压 2.4 V I OH = -400 µa, v CC = v CC 最小值 V H supervoltage 为一个 9 11.6 12.4 V CE#=OE#=V il, WE#=V IH I H supervoltage 电流 200 µA CE#=OE#=V il, WE#=V ih, 一个 9 = V H 最大值为一个 9 310 pgm t5.0 T 能 6: 28lf040/28vf040 直流 o PERATING C HARACTERISTICS 限制标识参数最小值最大值单位测试情况 I CC 电源供应电流 ce# = oe# =v IL , we# =v IH , 所有 i/os 打开读 10 毫安地址输入 = v IL /v ih, 在 f=1/t RC 最小值 V CC = v CC 最大值程序和擦掉 25 毫安 ce# =we# =v IL , oe# =v IH V CC =V CC 最大值 I SB1 备用物品 v CC 电流 1 毫安 ce# =oe# =we# = v IH , v CC =V CC 最大值 (ttl 输入) I SB2 备用物品 v CC 电流 20 µA ce# = oe# = we# = v CC -0.3v, (cmos 输入) V CC =V CC 最大值 I LI 输入泄漏电流 1 µA V 在 = 地至 v cc, V CC = v CC 最大值 I LO 输出泄漏电流 10 µA V 输出 =地至 v cc, V CC = v CC 最大值 V IL 输入低电压 0.8 V V CC = v CC 最大值 V IH 输入高电压 2.0 V V CC = v CC 最大值 V OL 输出低电压 0.4 V I OL = 100 µa, v CC = v CC 最小值 V OH 输出高电压 2.4 V I OH = -100 µa, v CC = v CC 最小值 V H supervoltage 为一个 9 11.6 12.4 V CE#=OE#=V il, WE#=V IH I H supervoltage 电流 200 µA CE#=OE#=V il, WE#=V ih, 一个 9 = V H 最大值为一个 9 310 pgm t6.0

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