adm690a/adm692a/adm802l/m/adm805l/m
–5–
rev. 0
电池
SWITCHOVER
重置
发生器
看门狗
转变 探测器
(1.6s)
4.65v*
1.25v
*4.4v 为 adm692a/adm802m/adm805m
ADM690A
ADM692A
ADM802L
ADM802M
ADM805L
ADM805M
电源 失败
输出 (pfo)
重置
V
输出
V
BATT
V
CC
看门狗
输入 (wdi)
电源 失败
输入 (pfi)
(重置)
( ) = adm805l/m 仅有的
图示 7. 函数的 块 图解
电源 失败
重置
, 重置
重置
是 一个 起作用的 低 输出 这个 提供 一个
重置
信号
至 这 微处理器 whenever v
CC
是 在 一个 invalid 水平的. 当
V
CC
falls 在下 这 重置 门槛, 这
重置
输出 是 强迫
低. 这 名义上的 重置 电压 门槛 是 4.65 v (adm690a/
adm802l/adm805l 或者 4.4 v adm692a/adm802m/
adm805m.
在 电源-向上
重置
将 仍然是 低 为 200 ms 之后 v
CC
rises
在之上 这 重置 门槛. 这个 准许 时间 为 这 电源 供应
和 微处理器 至 stabilize. 在 电源-向下, 这
重置
输出 仍然是 低 和 v
CC
作 低 作 1 v. 这个 确保 那
这 微处理器 是 使保持 在 一个 稳固的 关闭 情况.
这有保证的 最小 和 最大 门槛 是 作 跟随:
adm690a/adm802l/adm805l: 4.5 v 和 4.75 v
adm692a: 4.25 v和 4.5 v.
adm802l: 4.55 v 和 4.7 v
adm802m: 4.3 v 和 4.45 v
这 adm805l 和 adm805m 包含 一个 起作用的 高 重置
输出. 这个 是 这 complement 的
重置
和 是 将 为
processors 需要 一个 起作用的 高 重置 信号.
这 有保证的 最小 和 最大 门槛 为 这
adm805 是:
adm805l: 4.5 v 和 4.75 v
adm805m: 4.25 v和 4.5 v.
看门狗 计时器
重置
, 重置
这 看门狗 计时器 电路 monitors 这 activity 的 这 微观的-
处理器 在 顺序 至 审查 那 它 是 不 stalled 在 一个 indefinite
循环. 一个 输出 线条 在 这 处理器 是 使用 至 toggle 这
看门狗 输入 (wdi) 线条. 如果 这个 线条 是 不 toggled 在里面
1.6 秒, 一个 重置 脉冲波 是 发生. 这 看门狗
timeout 时期 restarts 和 各自 转变 在 这 wdi 管脚. 至
确保 那 这 看门狗 计时器 做 不 时间 输出, 也 一个
高-至-低 或者 低-至-高 转变 在 这 wdi 管脚 必须
出现 在 或者 较少 比 这 最小 timeout 时期. 如果 wdi
仍然是 permanently 也 高 或者 低, 重置 脉冲 将 是
issued 之后 各自 timeout 时期 (1.6 s). 这 看门狗 监控
能 是 deactivated 用 floating 这 看门狗 输入 (wdi) 或者 用
连接 它 至 midsupply.
+5V
0V
+5V
0V
+5V
0V
+5V
0V
0V
3.0v
3.0v
t
RS
V
CC
V
输出
重置
重置
PFO
V
BATT
= pfi = 3.0v
图示 8. 定时 图解
电池 switchover 部分
在 正常的 运作 和 v
CC
高等级的 比 这 重置
门槛, v
CC
是 内部 切换 至 v
输出
通过 一个 内部的
pmos 晶体管 转变. 这个 转变 有 一个 典型 在-阻抗
的 较少 比 1
Ω
和 能 供应 向上 至 100 毫安 在 这 v
输出
终端. once v
CC
falls 在下 这 重置 门槛, 这 高等级的 的
V
CC
或者 v
BATT
是 switched 至 v
输出
. 这个 意思 那 v
BATT
connects 至 v
输出
仅有的 当 v
CC
是 在下 这 重置 门槛
和 v
BATT
是 更好 比 v
CC
.
V
输出
是 正常情况下 使用 至 驱动 一个 内存 记忆 bank 这个
将 需要 instantaneous 电流 的 更好 比 100 毫安. 如果
这个 是 这 情况, 然后 一个 绕过 电容 应当 是 连接 至
V
输出
. 这 电容 将 提供 这 顶峰 电流 过往旅客 至 这
内存. 一个电容 值 的 0.1
µ
f 或者 更好 将 是 使用.
一个 9
Ω
场效应晶体管 转变 connects 这 v
BATT
输入 至 v
输出
在 电池 backup. 这个 场效应晶体管 有 非常 低 输入-至-
输出 差别的 (落后 电压) 在 这 低 电流 水平
必需的 为 电池 backup 的 cmos 内存 或者 其它 低 电源
cmos 电路系统. 这 供应 电流 在 电池 backup 是
典型地 0.05
µ
一个.
典型地 3 v batteries 是 使用 作 这 backup 供应. 高
值 电容, 也 标准 electrolytic 或者 这 farad 大小
翻倍 layer 电容, 能 也 是 使用 为 短的-期 记忆
后面的 向上. 一个 小 charging 电流 的 典型地 10 na (0.1
µ
一个
最大值) flows 输出 的 这 v
BATT
终端. 这个 电流 是 有用的 为
维持 rechargeable batteries 在 一个 全部地 charged 情况.
这个 extends 这 生命 的 这 后面的 向上 电池 用 compensating 为
它的 自 释放 电流. 也 便条 那 这个 电流 poses 非
问题 当 lithium batteries 是 使用 为 后面的 向上 自从 这
最大 charging 电流 (0.1
µ
一个) 是 safe 为 甚至 这 smallest
lithium cells.
如果 这 电池-switchover 部分 是 不 使用, v
BATT
应当 是
连接 至 地 和 v
输出
应当 是 连接 至 v
CC
.
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