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资料编号:1057011
 
资料名称:2SK2090
 
文件大小: 61022K
   
说明
 
介绍:
MOS Field Effect Transistor
 
 


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2SK2090
3
典型 特性 (t
一个
= 25 ˚c)
减额 因素 的 向前 偏差
safe 运行 范围
dt- 减额 因素 - %
T
一个
- 包围的 温度 - ˚c
流 电流 vs.
流 至 源 电压
I
D
- 流 电流 - 毫安
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
转移 特性
I
D
- 流 电流 - 毫安
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
向前 转移 admittance vs.
流 电流
|y
fs
| - 向前 转移 admittance - ms
I
D
- 流 电流 - 一个
流 至 源 在-状态 阻抗
vs. 流 电流
R
ds(在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 -
I
D
- 流 电流 - 毫安
30
100
80
60
40
20
0 60 90 120 150 1
100
80
60
40
20
0 2345
4.0 v
3.5 v
3.0 v
2.5 v
V
GS
= 2.0 v
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0
V
DS
= 3 v
123
100
50
20
1 100
V
DS
= 3 v
10
2 5 10 20 50
125 ˚c
T
一个
= –25˚ c
25˚ c
100
50
20
10
2
5
1 100
V
GS
= 2.5 v
1
2 5 10 20 50
T
一个
= 75 ˚c
25 ˚c
–25 ˚c
T
一个
= 75˚c
25˚C
–25˚C
流 至 源 在-状态 阻抗
vs. 流 电流
R
ds(在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 -
I
D
- 流 电流 - 毫安
100
50
20
10
2
5
1 100
V
GS
= 4 v
1
2 5 10 20 50
T
一个
= 75 ˚c
25 ˚c
–25 ˚c
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