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手机版
资料编号:1057015
资料名称:
2SK2112
文件大小: 60825K
说明
:
介绍
:
MOS Field Effect Transistor
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SK2112
4
流 至 源 在-状态
阻抗 vs. 流 电流
1.5
0.5
0.01
0.1
1
10
I
D
- 流 电流 - 一个
切换 特性
100
20
0.05
0.2
1
5
I
D
- 流 电流 - 一个
t
d(在)
, t
r
, t
d(止)
, t
f
- 切换 时间 - ns
1
流 至 源 在-状态 阻抗
vs. 门 至 源 电压
1
0.5
0
5
10
20
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
R
ds(在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 -
Ω
I
D
= 0.5 一个
25 ˚c
–25 ˚c
0
V
GS
= 10 v
15
C
iss
, c
oss
, c
rss
- 电容 - pf
电容 vs.
流 至 源 电压
500
50
0.1
0.5
10
100
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
V
GS
= 0
f = 1 mhz
20
500.2
1
2
5
200
100
20
10
C
rss
50
2
5
0.1
0.5
2
V
DD
= 25 v
V
gs(在)
= 10 v
t
d(在)
t
r
t
f
I
SD
- 二极管 向前 电流 - 一个
源 至 流 二极管
向前 voltge
1
0.01
0.2
0.4
0.7
1
V
SD
- 源 至 流 电压 - v
0.8
0.90.3
0.5
0.6
0.1
0.001
0.0001
R
ds(在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 -
Ω
T
一个
= 75 ˚c
1
C
iss
C
oss
10
t
d(止)
5
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