数据 薄板
D13798EJ1V0DS00
2
2SK3225
电的 特性 (t
一个
= 25 °c)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流 至 源 在-状态 阻抗 R
ds(在)1
V
GS
= 10 v, i
D
= 17 一个 13 18 m
Ω
R
ds(在)2
V
GS
= 4.0 v, i
D
= 17 一个 18 27 m
Ω
门 至 源 截-止 电压 V
gs(止)
V
DS
= 10 v, i
D
= 1 毫安 1.0 1.5 2.0 V
向前 转移 admittance | y
fs
|V
DS
= 10 v, i
D
= 17 一个 13 27 S
流 泄漏 电流 I
DSS
V
DS
= 60 v, v
GS
= 0 v 10
µ
一个
门 至 源 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
= ±20 v, v
DS
= 0 v ±10
µ
一个
输入 电容 C
iss
V
DS
= 10 v 2100 pF
输出 电容 C
oss
V
GS
= 0 v 550 pF
反转 转移 电容 C
rss
f = 1 mhz 220 pF
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
I
D
= 17 一个 32 ns
上升 时间 t
r
V
gs(在)
= 10 v 300 ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
V
DD
= 30 v 110 ns
下降 时间 t
f
R
G
= 10
Ω
140 ns
总的 门 承担 Q
G
I
D
= 34 一个 45 nC
门 至 源 承担 Q
GS
V
DD
= 48 v 7 nC
门 至 流 承担 Q
GD
V
gs(在)
= 10 v 13 nC
身体 二极管 向前 电压 V
f(s-d)
I
F
= 34 一个, v
GS
= 0 v 0.94 V
反转 恢复 时间 t
rr
如果 = 34 一个, v
GS
= 0 v 60 ns
反转 恢复 承担 Q
rr
di/dt = 100 一个/
µ
s95nC
测试 电路 3 门 承担
V
GS
= 20
→
0
V
pg.
R
G
= 25
Ω
50
Ω
d.u.t.
L
V
DD
测试 电路 1 avalanche 能力
pg.
R
G
= 10
Ω
d.u.t.
R
L
V
DD
测试 电路 2 切换 时间
R
G
pg.
I
G
= 2 毫安
50
Ω
d.u.t.
R
L
V
DD
I
D
V
DD
I
作
V
DS
BV
DSS
开始 t
ch
V
GS
0
τ
= 1
µ
s
职责 循环
≤
1 %
τ
V
GS
波 表格
I
D
波 表格
V
GS
I
D
10
%
0
0
90
%
90
%
90
%
V
gs(在)
I
D
t
在
t
止
t
d(在)
t
r
t
d(止)
t
f
10
%10
%
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