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资料编号:1057235
 
资料名称:2SK2414-Z
 
文件大小: 113171K
   
说明
 
介绍:
MOS Field Effect Transistor
 
 


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2sk2414, 2sk2414-z
2
电的 特性 (t
一个
= 25 ˚c)
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 测试 情况
流 至 源 在-阻抗 R
ds(在)1
52 70 V
GS
= 10 v, i
D
= 5.0 一个
流 至 源 在-阻抗 R
ds(在)2
68 95 V
GS
= 4 v, i
D
= 5.0 一个
门 至 源 截止 电压 V
gs(止)
1.0 1.6 2.0 V
DS
= 10 v, i
D
= 1 毫安
向前 转移 admittance | y
fs
| 7.0 12 V
DS
= 10 v, i
D
= 5.0 一个
流 泄漏 电流 I
DSS
10 V
DS
= 60 v, v
GS
= 0
门 至 源 泄漏 电流 I
GSS
±
10 V
GS
=
±
20 v, v
DS
= 0
输入 电容 C
iss
860 V
DS
= 10 v
输出 电容 C
oss
440 V
GS
= 0
反转 转移 电容 C
rss
110 f = 1 mhz
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
15 I
D
= 5.0 一个
上升 时间 t
r
90 V
gs(在)
= 10 v
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
75 V
DD
= 30 v
下降 时间 t
f
35 R
G
= 10
总的 门 承担 Q
G
24 I
D
= 10 一个
门 至 源 承担 Q
GS
2.6 V
DD
= 48 v
门 至 流 承担 Q
GD
6.0 V
GS
= 10 v
身体 二极管 向前 电压 V
f(s-d)
1.0 I
F
= 10 一个, v
GS
= 0
反转 恢复 时间 t
rr
85 I
F
= 10 一个, v
GS
= 0
反转 恢复 承担 Q
rr
220 di/dt = 50 一个/
µ
s
测试 电路 1 avalanche 能力 测试 电路 2 切换 时间
R
G
= 25
50
d.u.t.
PG
L
V
DD
V
GS
= 20 v
0
BV
DSS
I
I
D
V
DS
开始 t
ch
R
G
d.u.t.
pg.
0
t
R
L
V
DD
V
GS
t = 1 s
职责 循环
1 %
V
GS
表格
I
D
表格
I
D
0
0
10 %
10 %
90 %
90 %
10 %
90 %
I
D
V
gs (在)
t
d (止)
t
d (在)
t
t
t
f
t
r
测试 电路 3 门 承担
d.u.t.
R
L
V
DD
50
I
G
= 2 毫安
pg.
V
DD
V
GS
R
G
= 10
µ
单位
m
m
V
S
µ
一个
µ
一个
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
ns
nC
这 应用 电路 和 它们的 参数 是 为 references 仅有的 和 是 不 将 为 使用 在 真实的 设计-在's.
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