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¡ 半导体
msm80c48/49/50, msm80c35/39/40
交流 特性
参数 标识
V
CC
=5 v±10%
11 mhz 时钟
能变的 时钟
0 至 11 mhz
单位
最小值 最大值 最小值 最大值
ale 脉冲波 宽度
t
LL
150 — 3.5t–170 — ns
地址 建制 时间 (向上 至 ale)
t
AL
70 — 2t–110 — ns
地址 支撑 时间 (从 ale)
t
LA
50 — t–40 — ns
总线 端口 获得 数据 建制 时间 (向上 至 ale rising 边缘)
t
BL
110 — 2.5t –115 — ns
总线 端口 获得 数据 支撑 时间 (从 ale rising 边缘)
t
LB
90 — 1.5 t–45 — ns
控制 脉冲波 宽度 (
RD
,
WR
)
t
CC1
480 — 7t–155 — ns
数据 建制 时间 (在之前
WR
)
t
DW
390 — 6t–155 — ns
数据 支撑 之后 时间 (之后
WR
)
t
WD
40 — 2t–140 — ns
数据 支撑 时间 (之后
RD
,
PSEN
)
t
DR
0 110 0 1.5t–30 ns
PSEN
至 数据-在
t
RD2
— 190 — 5t–265 ns
地址 建制 至
WR
t
AW
300 — 6t–245 — ns
地址 建制 至 数据-在
t
AD1
— 730 — 12t–360 ns
地址 float 至
PSEN
t
AFC2
10 — 10 — ns
PROG
至 输入 数据 有效的
t
PR
— 650 — 9t–170 ns
输入 数据 支撑 时间
t
PF
0 140 0 1.5t ns
输出 数据 建制 时间
t
DP
250 — 6t–290 — ns
输出 数据 支撑 时间
t
PD
40 — 3t–230 — ns
PROG
脉冲波 宽度
t
PP
700 — 10t–210 — ns
端口 2 i/o 建制 时间
t
PL
160 — 4.5–250 — ns
端口 2 i/o 支撑 时间
t
LP
15 — 1.5t–120 — ns
(v
CC
=2.5v 至 6v (*1), ta=–40 至 +85°c)
控制 脉冲波 宽度 (
PSEN
)
t
CC2
350 — 6t–200 — ns
RD
至 数据-在
t
RD1
— 350 — 5t–265 ns
地址 建制 至 操作指南
t
AD2
— 460 — 8t–265 ns
地址 float 至
RD
,
WR
t
AFC1
140 — 2t–40 — ns
端口 控制 建制 时间 (向上 至 prog 下落 边缘)
t
CP
50 — 2t–130 — ns
控制 脉冲波 建制 时间 从 ale (
PSEN
)
t
LAFC2
60 — t–30 — ns
控制 脉冲波 建制 时间 从 ale (
RD
,
WR
)
t
LAFC1
200 — 3t–75 — ns
控制 脉冲波 向上 至 ale (
RD
,
WR
,
PROG
)
t
CA1
50 — 1.5t–85 — ns
控制 脉冲波 向上 至 ale (
PSEN
)
t
CA2
320 — 4.5t–90 — ns
端口 控制 支撑 时间 (从 prog 下落 边缘)
t
PC
100 — 4t–260 — ns
端口 输出 数据 (从 ale)
t
PV
— 510 — 4t+145 ns
t0 循环
t
OPRR
270 — 3t — ns
操作指南 执行 时间
t
CY
1.36 — 15t —
m
s
便条 : 控制 输出 : c
L
=80pF
总线 输出 : c
L
=150pf [for 20 pf (t
AL
, t
AFC1
, t
AFC2
)]
*1 最小 运行 电压 是 依赖 在 频率.
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