标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
I
LI
(1)
输入 泄漏 电流 0V
≤
V
在
≤
V
CC
±
1
µ
一个
I
LO
(1)
输出 泄漏 电流 0V
≤
V
输出
≤
V
CC
±
5
µ
一个
I
CC
供应 电流 输出 打开 50 毫安
I
CC1
供应 电流 (备用物品) ttl e1 =V
IH
, e2 = v
IL
3mA
I
CC2
供应 电流 (备用物品) cmos
e1 = v
CC
– 0.2v,
e2 = v
SS
+ 0.2v
3mA
V
IL
输入 低 电压 –0.3 0.8 V
V
IH
输入 高 电压 2.2 V
CC
+ 0.3 V
V
OL
输出 低 电压 I
OL
= 2.1ma 0.4 V
输出 低 电压 (
rst)
(2)
I
OL
= 10ma 0.4 V
V
OH
输出 高 电压 I
OH
= –1ma 2.4 V
注释:
1. 输出 deselected.
2. 这
rst 管脚 是 打开 流.
表格 6. 直流 特性
(t
一个
= 0 至 70
°
c; v
CC
= 4.75v 至 5.5v 或者 4.5v 至 5.5v)
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
C
在
输入 电容 V
在
= 0v 10 pF
C
IO
(3)
输入 / 输出 电容 V
输出
= 0v 10 pF
注释:
1. 有效的 电容 量过的 和 电源 供应 在 5v.
2. 抽样 仅有的, 不 100%测试.
3. 输出 deselected.
表格 5. 电容
(1, 2)
(t
一个
= 25
°
c)
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位
V
PFD
电源-失败 deselect 电压 (m48z59/59y) 4.5 4.6 4.75 V
V
PFD
电源-失败 deselect 电压 (m48z59/59yy) 4.2 4.35 4.5 V
V
所以
电池 后面的-向上 switchover 电压 3.0 V
t
DR
(2)
预期的 数据 保持 时间 10 年
注释:
1. 所有 电压 关联 至 v
SS
.
2. 在 25
°
c.
表格 7. 电源 向下/向上 trip 点 直流 特性
(1)
(t
一个
= 0 至 70
°
c)
为 这 28 含铅的 soic, 这 电池 包装 (i.e.
snaphat) 部分 号码 是 "m4z28-br00sh1".
一个 电源-在 重置 输出 提供 一个 重置 脉冲波 至
这 微处理器. 这 重置 pulls 低 (打开
流) 一个 电源-向下 和 仍然是 低 在 电源-
向上 为 40ms 至 200ms 之后 v
CC
passes v
PFD
. 这
m48z59/59y 也 有 它的 自己的 电源-失败 发现
电路. 这 控制 电路系统 constantly monitors 这
单独的 5v 供应 为 一个 输出 的 容忍 情况.
当 v
CC
是 输出 的 容忍, 这 电路 写
保护 这 sram, 供应 一个 高 程度 的 数据
安全 在 这 midst 的 unpredictable 系统 运算-
限定 brought 在 用 低 v
CC
.作 v
CC
falls 在下
大概 3v, 这 控制 电路系统 connects 这
电池 这个 维持 数据 直到 有效的 电源 re-
转变.
描述
(内容’d)
4/14
m48z59, m48z59y
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