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M29F102BB
表格 13. 写 交流 特性, 碎片 使能 控制
(t
一个
= 0 至 70
°
c)
标识 Alt 参数
M29F102BB
单位
35 45 50 / 55 70
t
AVAV
t
WC
地址 有效的 至 Next 地址 有效的 最小值 35 45 50 70 ns
t
WLEL
t
WS
写 使能 低 至 碎片 使能 低 最小值 0 0 0 0 ns
t
ELEH
t
CP
碎片 使能 低 至 碎片 使能 高 最小值 35 40 40 45 ns
t
DVEH
t
DS
输入 有效的 至 碎片 使能 高 最小值 20 25 25 30 ns
t
EHDX
t
DH
碎片 使能 高 to 输入 转变 最小值 0 0 0 0 ns
t
EHWH
t
WH
碎片 使能 高 to Write 使能 高 最小值 0 0 0 0 ns
t
EHEL
t
CPH
碎片 使能 高 to 碎片 使能 低 最小值 20 20 20 20 ns
t
AVEL
t
作
地址 有效的 至 碎片 使能 低 最小值 0 0 0 0 ns
t
ELAX
t
AH
碎片 使能 低 至 地址 转变 最小值 35 40 40 45 ns
t
GHEL
输出 使能 高 碎片 使能 低 最小值 0 0 0 0 ns
t
EHGL
t
OEH
碎片 使能 高 to 输出 使能 低 最小值 0 0 0 0 ns
t
VCHWL
t
VCS
V
CC
高 至 Write 使能 低
最小值 50 50 50 50
µ
s
图示 9. 写 交流 波形, 碎片 使能 控制
AI02120
E
G
W
a0-a15
dq0-dq15
有效的
有效的
V
CC
tVCHWL
tEHWH
tEHEL
tWLEL
tAVEL
tEHGL
tELAX
tEHDX
tAVAV
tDVEH
tELEHtGHEL