绝对 最大 比率
(便条 2)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
存储 温度 范围 −65˚C 至 +150˚C
运行 温度 范围
工业的 (lm431xi) −40˚C 至 +85˚C
商业的 (lm431xc) 0˚C 至 +70˚C
含铅的 温度
至-92 包装/所以-8 包装/sot-23 包装
(焊接, 10 秒.) 265˚C
内部的 电源 消耗 (注释 3, 4)
至-92 包装
所以-8 包装
sot-23 包装
0.78w
0.81w
0.28w
Cathode 电压 37V
持续的 Cathode 电流 −10 毫安 至 +150 毫安
涉及 电压 −0.5v
涉及 输入 电流 10 毫安
运行 情况
最小值 最大值
Cathode 电压 V
REF
37V
Cathode 电流 1.0 毫安 100 毫安
LM431
电的 特性
T
一个
=
25˚C 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
REF
涉及 电压 V
Z
=
V
REF
,i
I
=
10 毫安 2.440 2.495 2.550 V
LM431A
(图示 1 )
V
Z
=
V
REF
,i
I
=
10 毫安 2.470 2.495 2.520 V
LM431B
(图示 1 )
V
Z
=
V
REF
,i
I
=
10 毫安 2.485 2.500 2.510 V
LM431C
(图示 1 )
V
DEV
背离 的 涉及 输入 电压 在 V
Z
=
V
REF
,i
I
=
10 毫安, 8.0 17 mV
温度 (便条 5) T
一个
=
全部 范围
(图示 1 )
比率 的 这 改变 在 涉及 电压 I
Z
=
10 毫安 V
Z
从 V
REF
至 10V −1.4 −2.7
mv/v
至 这 改变 在 Cathode 电压
(图示 2 )
V
Z
从 10V 至 36V −1.0 −2.0
I
REF
涉及 输入 电流 R
1
=
10 k
Ω
,r
2
=
∞
, 2.0 4.0 µA
I
I
=
10 毫安
(图示 2 )
∝
I
REF
背离 的 涉及 输入 电流 在 R
1
=
10 k
Ω
,r
2
=
∞
,
温度 I
I
=
10 毫安, 0.4 1.2 µA
T
一个
=
全部 范围
(图示 2 )
I
z(最小值)
最小 Cathode 电流 为 规章制度 V
Z
=
V
REF
(图示 1 )
0.4 1.0 毫安
I
z(止)
止-状态 电流 V
Z
=
36v, V
REF
=
0V
(图示 3 )
0.3 1.0 µA
r
Z
动态 输出 阻抗 (便条 6) V
Z
=
V
REF
, lm431a, 0.75
Ω
频率
=
0Hz
(图示 1 )
V
Z
=
V
REF
, lm431b, LM431C 0.50
Ω
频率
=
0Hz
(图示 1 )
便条 2:
绝对 最大 比率 表明 限制 在之外 这个 损坏 至 这 设备 将 出现. 电的 规格 做 不 应用 当 运行 这 设备
在之外 它的 评估 运行 情况.
便条 3:
T
J 最大值
=
150˚c.
便条 4:
比率 appy 至 包围的 温度 在 25˚c. 在之上 这个 温度, 减额 这 至-92 在 6.2 mw/˚c, 这 所以-8 在 6.5 mw/˚c, 和 这 sot-23 在 2.2 mw/
˚c.
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