hm 65664a
rev. c (11 apr. 97)
1
毫安
tra mhs
介绍
这
hm 65664a 是 一个 非常 低 电源 cmos 静态的 内存
有组织的 作 8192
×
8 位. 它 是 制造的 使用 这
temic 高 效能 cmos 技术 named
超级的
cmos.
和
这个 处理, temic 是 这 第一 至 bring 这 解决方案
为 产品 在哪里 快 computing 是 作 mandatory 作
低 消耗量, 此类 作 太空 electronics 或者
可携带的 器械 和 pc’s.
使用 一个 排列 或者 六 晶体管 (6t) 记忆 cells, 这
hm 65664a 结合 一个 极其 低 备用物品 供应
电流
(典型 值 = 0.1
µ
一个) 和 一个 快 进入 时间 在
25 ns 在 这 全部 温度 范围. 这 高 稳固
的 这 6t cell 提供 和 极好的 保护 相反
软 errors 预定的 至 噪音.
extra 保护 相反 重的 ions 是 给 用 这 使用 的
一个 外延的 layer 在 一个 p 基质.
为 军队/空间 产品 那 要求 更好的
水平 的 效能 和 可靠性 这 hm 65664a 是
processed 符合 至 这 方法 的 这 最新的 修订
的
这 mil 标准 883 (类 b 或者 s) 和/或者 esa scc 9000.
特性
进入 时间
工业的/商业的 : 25/35/45/55 ns (最大值)
automotive/军队 : 30/35/45/55 ns (最大值)
非常 低 电源 消耗量
起作用的 : 175.0 mw (典型值)
备用物品 : 0.5
µ
w (典型值)
数据 保持 : 0.4
µ
w (典型值)
宽 温度 范围 : -55 至 + 125
°
C
300 和 600 毫英寸 宽度 包装
ttl 兼容 输入 和 输出
异步的
单独的 5 volt 供应
equal 循环 和 进入 时间
gated 输入 : 非 拉-向上/向下
电阻器 是 必需的
8 k
8 非常 低 电源 cmos sram
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