hm 65664a
rev. c (11 apr. 97)
6
毫安
tra mhs
数据 保持 模式
mhs cmos 内存’s 是 设计 和 电池 backup
产品 在 mind. 数据 保持 电压 和 供应
电流 是 有保证的 在 温度. 这 下列的
rules insure 数据 保持 :
1. 碎片 选择 (cs
) 必须 是 使保持 高 在 数据
保持 ; 在里面 vcc 至 vcc -0.2 v
2. 输出 使能 (oe
) 应当 是 使保持 高 至 保持 这
内存 输出 高 阻抗, 降低 电源
消耗.
2. CS
和 oe
必须 是 保持 在 vcc -0.3 v 和 70 %
的 vcc 在 这 电源 向上 和 电源 向下
transitions
3. 这 内存 能 begin 运作 > 45 ns 之后 vcc
reaches 这 最小 运行 电压 (4.5 v).
定时
数据 保持 特性
参数 描述 最小 典型 (9) 最大 单位
VCCDR vcc 为 数据 保持 2.0 – – V
TCDR 碎片 deselect 至 数据 保持 时间 0.0 – – ns
TR 运作 恢复 时间 TAVAV (10) – – ns
iccdr1(11) 数据 保持 电流
@2.0 v : hm-65664ab/g/u-5
hm-65664ab/g/u-9
hm-65664ab/g-2/-一个
hm-65664as/c/q/t-5
hm-65664as/c/q/t-9
hm-65664as/c/q-2/-一个
–
–
–
–
–
–
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.5
3.0
20.0
30.0
30.0
200.0
µ
一个
µ
一个
µ
一个
µ
一个
µ
一个
µ
一个
iccdr2(11) 数据 保持 电流
@2.0 v : hm-65664ab/g/u-5
hm-65664ab/g/u-9
hm-65664ab/g-2/-一个
hm-65664as/c/q/t-5
hm-65664as/c/q/t-9
hm-65664as/c/q-2/-一个
–
–
–
–
–
–
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
0.3
1.0
5.0
30.0
50.0
50.0
300.0
µ
一个
µ
一个
µ
一个
µ
一个
µ
一个
µ
一个
注释 :
9. ta = 25
°
c.
1 0 . TAVAV = 读 循环 时间.
11. CS
= vcc, vin = 地/vcc, 这个 参数 是 仅有的 测试 至 vcc = 2 v.
: 点此下载
