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资料编号:1061631
 
资料名称:uPA502T
 
文件大小: 63712K
   
说明
 
介绍:
MOS Field Effect Transistor
 
 


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3
µ
PA502T
典型 特性 (t
一个
= 25 ˚c)
dt - 减额 因素 - %
减额 因素 的 向前 偏差
safe 运行 范围
100
80
60
40
20
0
T
C
- 情况 温度 - ˚c
20 40 80 100 140 160
P
T
- 总的 电源 消耗 - mw
总的 电源 消耗 vs.
包围的 温度
自由 空气
300
250
200
150
100
50
0
T
一个
- 包围的 温度 - ˚c
25 50 75 100 125 150
350
每 一个 单位
总的
60 120
流 电流 vs. 流 至
源 电压
120
100
80
60
40
20
0 1234567
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
I
D
- 流 电流 - 毫安
3.5 v
4.0 v
3.0 v
V
GS
= 2.5 v
搏动
度量
转移 特性
1000
100
10
1
024 68
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
I
D
- 流 电流 - 毫安
0.1
V
DS
= 5 v
搏动
度量
门 至 源 截-止 电压
vs. 频道 温度
3
2
1
–30 0 30 60 90 120 150
T
ch
- 频道 温度 - ˚c
V
gs(止)
- 门 截-止 电压 - v
V
DS
= 5 v
I
D
= 1.0 一个
µ
向前 转移 admittance
vs. 流 电流
100
10
1 10 100 1000
I
D
- 流 电流 - 毫安
|y
fs
| - 向前 转移 admittance - ms
1
V
DS
= 5 v
25 ˚c
T
一个
= 75 ˚c
–25 ˚c
T
一个
= 75 ˚c
25 ˚c
–25 ˚c
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