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mb8516s064cg-100/-100l
■
串行-pd 信息
便条:
任何 写 运作 必须 不 是 executed 在 这 地址 的 字节 0 至 字节 127.
一些 或者 所有 数据 贮存 在 字节 0 至 字节 127 将 是 broken.
*1. 字节 22: sdram 设备 attributes
*2. 字节 63: checksum 为 字节 0 至 62
这个 字节 是 这 checksum 为 字节 0 通过 62. 这个 字节 包含 这 值 的 这 低 8-位 的 这
arithmetic 总 的 字节 0 通过 62.
字节 函数 描述
十六进制 值
-100/100l
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32 至 61
62
63
64 至 98
99 至 125
126
127
128+
定义 号码 的 字节 写 在
串行 记忆 在 单元 制造
总的 号码 的 字节 的 spd 记忆 设备
基本的 记忆 类型
号码 的 行 地址
号码 的 column 地址
号码 的 单元 banks
数据 宽度
数据 宽度 (continuation)
接口 类型
sdram 循环 时间 (最高的 cas latency)
sdram 进入 从 时钟 (最高的 cas latency)
dimm 配置 类型
refresh 比率/类型
primary sdram 宽度
错误 checking sdram 宽度
最小 时钟 延迟 为 后面的 至 后面的 随机的 column
地址
burst 长度 supported
号码 的 banks 在 各自 sdram 设备
cas latency
cs latency
写 latency
sdram 单元 attributes
sdram 设备 attributes
sdram 循环 时间 (2nd. 最高的 cas latency)
sdram 进入 从 时钟 (2nd. 最高的 cas latency)
sdram 循环 时间 (3rd. 最高的 cas latency)
sdram 进入 从 时钟 (3rd. 最高的 cas latency)
最小 行 precharge 时间 (t
RP
)
行 活动 至 行 活动 最小值 (t
RRD
)
RAS
至 cas延迟 最小值 (t
RCD
)
最小 ras 脉冲波 宽度
单元 bank 密度
unused 存储 locations
spd 数据 修订 代号
checksum 为 字节 0 至 62
生产者’s 信息: unused 存储
vendor 明确的 数据: unused 存储
intel 规格 频率
intel 规格 详细信息 为 66mhz 支持
unused 存储 locations
128 字节
256 字节
SDRAM
12
9
2 bank
64 位
+0
LVTTL
10 ns
8.5 ns
非-parity
自, 正常的
×
8
0
1 循环
1, 2, 4, 8, 页
4 bank
2, 3
0
0
un-缓存区
*1
15 ns
9 ns
非 支持
非 支持
30 ns
20 ns
30 ns
60 ns
64 mbyte
—
1
*2
—
—
66MHz
cl=2, 3
—
80h
08h
04h
0Ch
09h
02h
40h
00h
01h
A0h
85h
00h
80h
08h
00h
01h
8Fh
04h
06h
01h
01h
00h
0Eh
F0h
90h
00h
00h
1Eh
14h
1Eh
3Ch
10h
00h
01h
58h
00h
00h
66h
FFh
—
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0
TBD TBD
upper v
CC
容忍
更小的 v
CC
容忍
支持
写 1
/读 burst
支持
Precharge
所有
支持
自动-
precharge
支持
early ras
Precharge
00001110
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