半导体 组
4 jan-10-1997
bsm 20 gd 60 dn2
电源 消耗
P
tot
=
ƒ
(
T
C
)
参数:
T
j
≤
150 °c
0 20 40 60 80 100 120 °C 160
T
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
W
100
P
tot
safe 运行 范围
I
C
=
ƒ
(
V
CE
)
参数:
D
= 0
, t
C
= 25°c ,
T
j
≤
150 °c
-1
10
0
10
1
10
2
10
一个
I
C
10
0
10
1
10
2
10
3
V
V
CE
直流
10 ms
1 ms
100 µs
t
p
= 17.0µs
集电级 电流
I
C
=
ƒ
(
T
C
)
参数:
V
GE
≥
15 v ,
T
j
≤
150 °c
0 20 40 60 80 100 120 °C 160
T
C
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
一个
26
I
C
瞬时 热的 阻抗 igbt
Z
th jc
=
ƒ
(
t
p
)
参数:
d = t
p
/
T
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
k/w
Z
thJC
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
s
t
p
单独的 脉冲波
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
d = 0.50