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资料编号:1062980
资料名称:
BC856A
文件大小: 278451K
说明
:
介绍
:
PNP Silicon AF Transistors
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
bc 856 ... bc 860
半导体 组
2
最大 比率
参数
标识
bc 856
单位
集电级-发射级 电压
V
CE0
65
V
集电级-根基 电压
V
CB0
80
发射级-根基 电压
V
EB0
集电级 电流
I
C
毫安
顶峰 发射级 电流
I
EM
总的 电源 消耗,
T
S
=
71 ˚c
P
tot
mW
接合面 温度
T
j
˚C
存储 温度 范围
T
stg
– 65
…
+ 150
热的 阻抗
接合面 - 包围的
1)
R
th ja
≤
310
k/w
顶峰 集电级 电流
I
CM
顶峰 根基 电流
I
BM
bc 857
bc 860
45
50
100
200
330
150
200
200
值
bc 858
bc 859
30
30
集电级-发射级 电压
V
CES
80
50
30
55
5
接合面 - 焊接 要点
R
th js
≤
240
1)
包装 挂载 在 环氧的 pcb 40
mm
×
40
mm
×
1.5
mm/6
cm
2
cu.
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