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资料编号:1062980
资料名称:
BC856A
文件大小: 278451K
说明
:
介绍
:
PNP Silicon AF Transistors
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
bc 856 ... bc 860
半导体 组
3
电的 特性
在
T
一个
= 25 ˚c, 除非 否则 指定.
vcollector-发射级 损坏 电压
I
C
= 10
毫安
bc 856
bc 857, bc 860
bc 858, bc 859
V
(br)ce0
65
45
30
–
–
–
–
–
–
nA
µ
一个
集电级 截止 电流
V
CB
= 30
V
V
CB
= 30
v,
T
一个
= 150
˚C
I
CB0
–
–
1
–
15
4
UnitValuesParameter
标识
最小值
典型值
最大值
直流 特性
集电级-根基 损坏 电压
I
C
= 10
µ
一个
bc 856
bc 857, bc 860
bc 858, bc 859
V
(br)cb0
80
50
30
–
–
–
–
–
–
发射级-根基 损坏 电压
I
E
= 1
µ
一个
V
(br)eb0
5––
mV
集电级-发射级 饱和 电压
1)
I
C
= 10
毫安,
I
B
= 0.5
毫安
I
C
= 100
毫安,
I
B
= 5
毫安
V
CEsat
–
–
75
250
300
650
–dc 电流 增益
I
C
= 10
µ
一个,
V
CE
= 5
V
bc 856 一个
…
bc 859 一个
bc 856 b
…
bc 860 b
bc 857 c
…
bc 860 c
I
C
= 2
毫安,
V
CE
= 5
V
bc 856 一个
…
bc 859 一个
bc 856 b
…
bc 860 b
bc 857 c
…
bc 860 c
h
FE
–
–
–
125
220
420
140
250
480
180
290
520
–
–
–
250
475
800
根基-发射级 饱和 电压
1)
I
C
= 10
毫安,
I
B
= 0.5
毫安
I
C
= 100
毫安,
I
B
= 5
毫安
V
BEsat
–
–
700
850
–
–
集电级-发射级 损坏 电压
I
C
= 10
µ
一个,
V
是
= 0
bc 856
bc 857, bc 860
bc 858, bc 859
V
(br)ces
80
50
30
–
–
–
–
–
–
根基-发射级 电压
I
C
= 2
毫安,
V
CE
= 5
V
I
C
= 10
毫安,
V
CE
= 5
V
V
是(在)
600
–
650
–
750
820
1)
脉冲波 测试:
t
≤
300
µ
s,
D
= 2
%.
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