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bts 774
半导体 组 11 1998-05-01
电的 特性
I
SH1
=
I
SH2
=
I
SL1
=
I
SL2
= 0 一个; – 40
°
c <
T
j
< 150
°
c; 8 v >
V
S
> 18 v
除非 否则 指定
参数 标识 限制 值 单位 测试 情况
最小值 典型值 最大值
电流 消耗量
安静的 电流
I
S
–1530
µ
agh1 = gh2 = l
V
S
= 13.2 V
T
j
= 25
°
C
安静的 电流
I
S
––35
µ
agh1 = gh2 = l
V
S
= 13.2 V
供应 电流
I
S
– 2 3.5 毫安 gh1 或者 gh2 = h
供应 电流
I
S
– 4 7 毫安 gh1 和 gh2 = h
下面 电压 lockout (uvlo)
转变-在 电压
V
UVON
––7V
V
S
增加
转变-止 电压
V
UVOFF
3.5 – – V
V
S
减少
转变 开关 hysteresis
V
UVHY
–1–V
V
UVON
–
V
UVOFF
在 电压 lockout (ovlo)
转变-止 电压
V
OVOFF
34 – 43 V
V
S
增加
转变-在 电压
V
OVON
33 – – V
V
S
减少
转变 止/在 hysteresis
V
OVHY
–0.5–v
V
OVOFF
–
V
OVON
短的 电路 的 highside 转变 至 地
最初的 顶峰 sc 电流
I
SCP
8 1013A
T
j
= – 40
°
C
最初的 顶峰 sc 电流
I
SCP
6.5 8.5 11 一个
T
j
= 25
°
C
最初的 顶峰 sc 电流
I
SCP
3.9 5.5 7 一个
T
j
= 150
°
C

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bts 774 半导体组 11 1998-05-01 电的特性 I SH1 = I SH2 = I SL1 = I SL2 = 0 一个; – 40 ° c < T j < 150 ° c; 8 v > V S > 18 v 除非否则指定参数标识限制值单位测试情况最小值典型值最大值电流消耗量安静的电流 I S –1530 µ agh1 = gh2 = l V S = 13.2 V T j = 25 ° C 安静的电流 I S ––35 µ agh1 = gh2 = l V S = 13.2 V 供应电流 I S – 2 3.5 毫安 gh1 或者 gh2 = h 供应电流 I S – 4 7 毫安 gh1 和 gh2 = h 下面电压 lockout (uvlo) 转变-在电压 V UVON ––7V V S 增加转变-止电压 V UVOFF 3.5 – – V V S 减少转变开关 hysteresis V UVHY –1–V V UVON – V UVOFF 在电压 lockout (ovlo) 转变-止电压 V OVOFF 34 – 43 V V S 增加转变-在电压 V OVON 33 – – V V S 减少转变止/在 hysteresis V OVHY –0.5–v V OVOFF – V OVON 短的电路的 highside 转变至地最初的顶峰 sc 电流 I SCP 8 1013A T j = – 40 ° C 最初的顶峰 sc 电流 I SCP 6.5 8.5 11 一个 T j = 25 ° C 最初的顶峰 sc 电流 I SCP 3.9 5.5 7 一个 T j = 150 ° C

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